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MIC58P01BN 发布时间 时间:2025/7/22 18:52:33 查看 阅读:8

MIC58P01BN 是一款由Microchip Technology推出的高效能、低电压、双通道MOSFET驱动器集成电路,广泛用于电源管理和电机控制应用中。该芯片专为驱动N沟道MOSFET而设计,具有高驱动能力和良好的热稳定性。MIC58P01BN 采用14引脚PDIP或SOIC封装,适用于各种中高功率应用。

参数

工作电压范围:4.5V 至 18V
  输出驱动电流:±1.2A(典型值)
  输入逻辑电压范围:2.5V 至 5.5V(兼容TTL和CMOS)
  导通延迟时间:约100ns(典型值)
  关断延迟时间:约70ns(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:14引脚 PDIP 或 SOIC

特性

MIC58P01BN 是一款高性能的MOSFET驱动器,具有出色的驱动能力和稳定性。该芯片的两个独立通道可分别控制两个N沟道MOSFET,适用于H桥、DC-DC转换器、马达控制器等应用。其输入端兼容TTL和CMOS电平,使得与微控制器或其他数字控制电路的接口非常简便。此外,MIC58P01BN 还内置了欠压锁定(UVLO)功能,当电源电压低于安全工作范围时,会自动关闭输出,防止MOSFET在低效或不稳定状态下运行,提高系统的可靠性。
  该器件的驱动能力强,能够快速充放电MOSFET的栅极电容,从而减少开关损耗并提高系统效率。其导通和关断延迟时间短,有助于实现高频开关操作。MIC58P01BN 还具备良好的热管理能力,在高负载条件下仍能保持稳定运行。
  为了提高系统安全性,MIC58P01BN 设计有交叉传导保护机制,防止两个MOSFET同时导通,从而避免直通电流造成的损坏。此外,该芯片还支持外部死区时间控制,进一步增强系统的灵活性和安全性。

应用

MIC58P01BN 主要用于需要高效驱动N沟道MOSFET的场合,例如直流电机控制器、H桥驱动、DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统等。由于其具备良好的热性能和驱动能力,也常用于工业自动化设备、电动工具、电动车、机器人控制系统等领域。

替代型号

TC4420, IR2104, LM5114

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MIC58P01BN参数

  • 标准包装17
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列-
  • 类型锁存驱动器
  • 输入类型非反相
  • 输出数8
  • 导通状态电阻200 千欧
  • 电流 - 输出 / 通道500mA
  • 电流 - 峰值输出-
  • 电源电压5 V ~ 12 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳22-DIP(0.400",10.16mm)
  • 供应商设备封装22-PDIP
  • 包装管件