时间：2025/9/14 15:14:22
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PMPB19XP,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够在较高的开关频率下稳定工作。这款 MOSFET 封装为 TSOP（小外形晶体管封装），适合用于空间受限的电路设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：22mΩ @ Vgs=10V
导通电阻(Rds(on))：30mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散(Pd)：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TSOP
PMPB19XP,115 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。在 10A 电流下，Rds(on) 最低可达 22mΩ，显著优于许多同类产品。这使得该器件非常适合用于高频率 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电源管理模块等应用场景。
此外，该 MOSFET 具备良好的热稳定性和高耐用性，能够在高功率密度设计中保持可靠性。其 ±20V 的栅极电压耐受能力增强了其在高压或噪声环境中的适用性，防止因过高的栅极电压而导致器件损坏。同时，该器件的封装设计具有较小的引脚间距，适合表面贴装工艺（SMT），提高了电路板布局的灵活性。
由于其沟槽结构和优化的芯片设计，PMPB19XP,115 在开关性能方面表现出色，能够支持高频操作，从而减小外部滤波元件的尺寸和成本。该器件的快速开关特性也降低了开关损耗，有助于提升系统整体能效。
PMPB19XP,115 广泛应用于多种电源管理与功率转换场景，例如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池供电设备、便携式电子产品、服务器电源模块以及汽车电子系统等。其高效率、低导通电阻和紧凑封装使其成为现代高密度电源设计中的理想选择。此外，该器件也适用于需要快速开关和热稳定性的工业控制和通信设备中。
SI2302DS, FDS6680, BSC019N03MAG, AO4406
