时间：2025/6/3 10:59:32
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IRF840APBF是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由Vishay公司生产。该器件采用TO-220封装形式，具有高击穿电压和低导通电阻的特点，适用于开关电源、电机驱动以及音频放大器等应用场合。
IRF840APBF的设计旨在提供卓越的性能表现，同时保持较高的可靠性和稳定性。由于其优秀的电气特性，这款MOSFET在高频开关电路中表现出色，可有效降低功耗并提升效率。
最大漏源电压：500V
最大连续漏电流：8A
最大脉冲漏电流：32A
栅极阈值电压：4V
导通电阻（典型值）：0.6Ω
总功耗：95W
结温范围：-55℃至175℃
IRF840APBF具备以下显著特点：
1. 高击穿电压（500V），适合高压应用环境。
2. 较低的导通电阻（0.6Ω），有助于减少传导损耗。
3. 支持高频操作，适用于开关频率较高的场景。
4. 良好的热稳定性和耐久性，能够在较宽的温度范围内工作。
5. TO-220标准封装设计，便于安装与散热处理。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅焊接兼容。
IRF840APBF广泛应用于各种电子设备中，主要包括：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动电路
4. 音频功率放大器
5. 脉冲宽度调制（PWM）控制器
6. 工业自动化控制设备
7. 逆变器及不间断电源（UPS）系统
IRF840A, IRF840, STP12NK50Z
