您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRF840APBF

IRF840APBF 发布时间 时间:2025/6/3 10:59:32 查看 阅读:7

IRF840APBF是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),由Vishay公司生产。该器件采用TO-220封装形式,具有高击穿电压和低导通电阻的特点,适用于开关电源、电机驱动以及音频放大器等应用场合。
  IRF840APBF的设计旨在提供卓越的性能表现,同时保持较高的可靠性和稳定性。由于其优秀的电气特性,这款MOSFET在高频开关电路中表现出色,可有效降低功耗并提升效率。

参数

最大漏源电压:500V
  最大连续漏电流:8A
  最大脉冲漏电流:32A
  栅极阈值电压:4V
  导通电阻(典型值):0.6Ω
  总功耗:95W
  结温范围:-55℃至175℃

特性

IRF840APBF具备以下显著特点:
  1. 高击穿电压(500V),适合高压应用环境。
  2. 较低的导通电阻(0.6Ω),有助于减少传导损耗。
  3. 支持高频操作,适用于开关频率较高的场景。
  4. 良好的热稳定性和耐久性,能够在较宽的温度范围内工作。
  5. TO-220标准封装设计,便于安装与散热处理。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅焊接兼容。

应用

IRF840APBF广泛应用于各种电子设备中,主要包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 直流-直流转换器
  3. 电机驱动电路
  4. 音频功率放大器
  5. 脉冲宽度调制(PWM)控制器
  6. 工业自动化控制设备
  7. 逆变器及不间断电源(UPS)系统

替代型号

IRF840A, IRF840, STP12NK50Z

IRF840APBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRF840APBF资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRF840APBF参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C850 毫欧 @ 4.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1018pF @ 25V
  • 功率 - 最大125W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF840APBF