类型：双 N 沟道 MOSFET
　　封装：8-SOIC
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.1A（每个通道）
　　导通电阻（Rds(on)）：36mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：47mΩ @ Vgs=4.5V
　　功耗（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ 150°C

FDC6331C 具备多项优良特性，适用于高性能电源管理应用。其主要特性包括低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体效率。该器件的双 N 沟道结构允许两个独立通道并联使用，以支持更高的电流需求。此外，其 30V 的漏源电压额定值使其适用于多种低压电源转换应用，如笔记本电脑电源适配器、DC-DC 转换器和同步整流器等。
　　FDC6331C 的栅极驱动电压范围宽，支持 4.5V 至 10V 的驱动电压，因此可与多种控制器和驱动 IC 兼容。该器件的封装为 8 引脚 SOIC，具有良好的热性能和空间效率，适合在高密度 PCB 设计中使用。此外，其快速开关特性可减少开关损耗，适用于高频操作环境。
　　由于其高集成度和紧凑的封装设计，FDC6331C 有助于减少外部元件数量，简化电路设计，提高系统可靠性。同时，其良好的热稳定性确保在高负载条件下仍能稳定工作。

FDC6331C 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. 同步整流器：在 AC-DC 和 DC-DC 转换器中用作同步整流器，以提高效率。
　　2. DC-DC 转换器：适用于升压（Boost）和降压（Buck）转换器，提供高效的电压转换方案。
　　3. 负载开关：用于控制电源的通断，实现对负载的精确管理。
　　4. 马达控制：作为功率开关用于小型马达的驱动和控制。
　　5. 电池管理系统：用于电池充放电管理电路中的开关元件。
　　6. 笔记本电脑和移动设备：应用于电源管理模块，提升能效并延长电池寿命。
　　7. 服务器和通信设备：在高密度电源系统中提供高效、可靠的功率控制。

Si7396DP, FDC6330L, FDC6321, FDC6303, FDMS7610