时间：2025/8/14 3:27:25
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PJQ4476AP-AU_R2_000A1 是一款由 Renesas（瑞萨）推出的功率MOSFET器件，专为高效率功率转换应用而设计。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和优异的热性能，适用于高电流和高频率的应用场景。
类型：功率MOSFET
工艺技术：沟槽式MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A
最大漏极-源极电压（VDS）：60V
导通电阻（RDS(on)）：2.3mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：75nC（典型值）
封装形式：PowerPAK SO-8
工作温度范围：-55°C至150°C
PJQ4476AP-AU_R2_000A1 具有以下主要特性：
1. 低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。
2. 采用PowerPAK SO-8封装，具有良好的散热性能和高功率密度，适用于空间受限的设计。
3. 适用于高频开关应用，栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗。
4. 具有良好的热稳定性和可靠性，在高负载条件下依然保持稳定性能。
5. 符合RoHS环保标准，无卤素材料，适用于现代电子设备的绿色制造要求。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 电源管理：包括DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。
2. 服务器和通信设备：用于高效率电源模块和热插拔控制电路。
3. 电动工具和工业电机控制：作为高电流开关使用，提高系统效率和可靠性。
4. 汽车电子：适用于车载充电系统、电池管理系统和电机驱动电路。
5. 消费类电子产品：如高性能笔记本电脑和台式机的电源供应。
IPB065N06N、NTMFS4C10N、FDMS86180、SiR142DP
