时间：2025/4/28 18:08:59
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WNM01N11是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效能应用设计。该器件具有出色的开关性能和低导通电阻，适用于电源转换、射频放大器以及其他需要高速开关的应用场景。
该器件采用小尺寸封装，便于集成到各种系统中，同时具备高耐压能力，使其能够胜任多种严苛的工作环境。
型号：WNM01N11
类型：增强型场效应晶体管 (E-Mode FET)
材料：氮化镓 (GaN)
漏源电压（Vds）：650V
连续漏极电流（Id）：1.3A
导通电阻（Rds(on)）：120mΩ
栅极电荷（Qg）：40nC
总栅极电荷（Qgt）：70nC
开关速度：超快
封装形式：TO-252
WNM01N11的主要特点是其卓越的开关特性和低导通电阻。具体如下：
1. 高击穿电压：可承受高达650V的漏源电压，适合高压应用场景。
2. 超低导通电阻：在同类产品中表现突出，减少功率损耗，提升效率。
3. 快速开关能力：极低的栅极电荷确保了高效的开关操作，非常适合高频应用。
4. 紧凑型封装：采用TO-252封装，节省空间且易于安装。
5. 热稳定性强：得益于GaN技术，能够在高温环境下保持稳定的性能输出。
这些特性使WNM01N11成为电源管理、DC-DC转换器以及电机驱动等领域的理想选择。
WNM01N11广泛应用于多个领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）：用于提高效率并缩小整体尺寸。
2. DC-DC转换器：因其快速开关能力和低导通电阻，特别适用于高效能DC-DC转换电路。
3. 射频功率放大器：凭借其高频性能，可有效提升射频信号的传输质量。
4. 电机驱动：支持更高频率的PWM控制，优化电机运行效率。
5. 充电器与适配器：实现紧凑设计的同时提供更高的充电效率。
6. 太阳能逆变器：通过降低功率损耗来提升能量转换效率。
WBG01N11
GAN01N11
CMD11N65
