2SC0108T2G017 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 NPN 型双极性晶体管(BJT),广泛用于中功率放大和开关应用。这款晶体管以其高增益、高工作频率和优异的可靠性著称,适用于多种电子电路设计。
晶体管类型:NPN BJT
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
最大功耗(Pd):300 mW
电流增益(hFE):110-800(根据等级不同)
过渡频率(fT):100 MHz
工作温度范围:-55°C 至 150°C
2SC0108T2G017 晶体管具备多项显著特性,使其在多种电子电路中表现出色。
首先,该晶体管具有高电流增益(hFE),范围从110到800,具体取决于其等级。这使其非常适合用于信号放大和高增益开关应用。
其次,晶体管的过渡频率(fT)高达100 MHz,意味着它能够在高频环境下稳定工作,适用于射频和中频放大电路。
此外,该晶体管的最大集电极电流为100 mA,最大集电极-发射极电压为30 V,使其能够承受一定的功率负载,适用于中功率应用。
2SC0108T2G017 采用小型封装,节省空间,同时具有良好的热稳定性和可靠性,适用于严苛的工业环境。
最后,其工作温度范围为-55°C至150°C,适合在极端温度条件下使用。
2SC0108T2G017 广泛应用于多个领域,尤其在需要中等功率放大和高频开关的电子电路中。
在音频放大电路中,该晶体管的高增益特性使其成为前置放大器或中功率放大器的理想选择。它能够有效放大微弱信号,提高音频系统的整体性能。
在射频(RF)和中频(IF)放大器中,由于其高达100 MHz的过渡频率,该晶体管能够处理高频信号,适用于无线通信、广播接收器和测试设备。
此外,2SC0108T2G017 也常用于数字开关电路,例如在微控制器外围电路中作为驱动器,控制LED、继电器或其他负载。
在工业控制和自动化系统中,该晶体管可用于信号处理和电源管理电路,确保系统的稳定性和高效运行。
最后,由于其小型封装和可靠性,该晶体管也适用于便携式电子产品,如无线耳机、小型收音机和传感器模块。
2N3904, BC547, 2SC1815