PJP75N75 时间：2025/8/15 4:49:30 阅读：26

PJP75N75 是一款由 Power Integrations 推出的高压功率 MOSFET 晶体管，主要用于高效能的电源转换系统中。该器件结合了 Power Integrations 的创新技术，提供高集成度和可靠性，适用于各种高要求的电源设计。

参数

类型：功率MOSFET
　　漏源电压(Vds)：750V
　　漏极电流(Id)：75A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.15Ω
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　栅极电荷(Qg)：典型值为150nC
　　短路耐受能力：有
　　热阻(Rth)：典型值为0.31°C/W

特性

PJP75N75 是一款性能优越的功率 MOSFET，具有多项设计优势和特点，适用于高要求的电源转换应用。其主要特性如下：
　　首先，PJP75N75 具备高达 750V 的漏源电压 (Vds)，能够在高压环境中稳定工作。这种高电压能力使其适用于需要高电压输入的电源系统，如工业电源、太阳能逆变器和电动汽车充电器等。同时，漏极电流达到 75A，能够处理较大的负载电流，适用于高功率输出的设计。
　　其次，该器件的导通电阻 (Rds(on)) 仅为 0.15Ω，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。低导通电阻的特性使得 PJP75N75 在高负载条件下仍能保持较低的温升，提升整体系统的可靠性和稳定性。此外，该器件的栅极电荷 (Qg) 为 150nC，较低的栅极电荷有助于减少开关损耗，提高开关速度，从而进一步优化系统性能。
　　在封装方面，PJP75N75 采用 TO-247 封装形式，这种封装具有良好的散热性能和机械强度，适合高功率密度的设计需求。TO-247 封装还提供了较大的引脚间距，减少了引脚间的寄生电感，提高了器件在高频开关应用中的性能。
　　此外，PJP75N75 还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的短路电流而不损坏。这一特性对于电源系统中的瞬态故障保护至关重要，可以有效提升系统的可靠性和安全性。同时，该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应了广泛的环境条件，适用于苛刻的工业和汽车应用。
　　最后，PJP75N75 的热阻 (Rth) 为 0.31°C/W，表明其在工作过程中能够有效地将热量散发到外部环境中。这一特性有助于降低器件的温升，延长其使用寿命，并减少额外的散热设计需求，从而简化系统设计和降低整体成本。