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PZU4.7B,115 发布时间 时间:2025/9/13 21:09:47 查看 阅读:4

PZU4.7B,115 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的齐纳二极管(Zener Diode),其齐纳电压为4.7V,适用于各种电压调节和稳压应用。齐纳二极管是一种特殊的二极管,它在反向击穿区域工作,以提供稳定的参考电压。该器件常用于电源管理、信号调节、过压保护和电压参考电路中。PZU4.7B,115 采用SOT23封装,具有较小的体积和良好的热性能,适合在紧凑型电子设备中使用。

参数

类型:齐纳二极管
  齐纳电压:4.7V
  容差:±5%
  最大耗散功率:300mW
  封装类型:SOT23
  工作温度范围:-65°C至+150°C
  存储温度范围:-65°C至+150°C
  最大反向电流:100mA
  最大反向漏电流:100nA(在VZ @ 1mA)
  引脚数:3
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

PZU4.7B,115 齐纳二极管具有多个显著的电气和机械特性,使其在各种电子应用中表现出色。
  首先,其齐纳电压为4.7V,且具有±5%的容差,确保了在不同条件下电压的稳定性和一致性。这使得该器件非常适合用作电压参考或在需要精确电压调节的电路中使用。此外,PZU4.7B,115 的最大耗散功率为300mW,能够在较高的功率条件下稳定工作,而不会发生热损坏。这使其适用于需要较高功率处理能力的应用,如电源管理模块和电池充电器。
  其次,该器件采用SOT23封装,这是一种常见的表面贴装封装形式,具有较小的尺寸和良好的热管理能力。SOT23封装有助于提高PCB(印刷电路板)的空间利用率,同时也便于自动化生产和焊接。PZU4.7B,115 的工作温度范围为-65°C至+150°C,表明其能够在极端温度条件下保持稳定的工作性能。这对于汽车电子、工业控制和航空航天等对环境温度要求较高的应用尤为重要。
  再者,PZU4.7B,115 的最大反向电流为100mA,能够承受一定的电流冲击,适用于瞬态电压抑制和过压保护电路。此外,其最大反向漏电流仅为100nA,在低功耗应用中表现出色,有助于减少不必要的能量损耗。
  最后,该齐纳二极管具有良好的稳定性和可靠性,符合工业标准的质量要求,广泛应用于消费电子、通信设备、汽车电子和工业自动化等领域。

应用

PZU4.7B,115 齐纳二极管的应用范围广泛,涵盖了多个电子系统的设计和实现。
  在电源管理系统中,该器件可作为电压参考,为稳压器、DC-DC转换器和LDO(低压差稳压器)提供稳定的参考电压,确保输出电压的精度和稳定性。在电池管理系统中,它可以用于监测电池电压,防止过充或过放,从而延长电池寿命。
  在信号调节电路中,PZU4.7B,115 可用于电压钳位和限幅,保护后续电路免受高电压冲击。例如,在模拟信号处理和ADC(模数转换)前端电路中,它可以帮助限制输入信号的最大幅度,防止损坏敏感的电子元件。
  此外,该器件也常用于过压保护电路,尤其是在USB、HDMI和其他高速数据接口中,防止静电放电(ESD)或瞬态电压事件对设备造成损害。在汽车电子系统中,PZU4.7B,115 可用于车载电源稳压、传感器信号调理和车载网络接口保护等应用。
  在工业控制系统中,该齐纳二极管可用于PLC(可编程逻辑控制器)、工业传感器和自动化设备中的电压参考和稳压,确保系统运行的稳定性和可靠性。
  综上所述,PZU4.7B,115 在电源管理、信号调节、过压保护和工业控制等多个领域中发挥着重要作用。

替代型号

PZU4.7B,132, PZU4.7B,215, PZU4.7B,315, MM3Z4.7B, BZX84C4V7

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PZU4.7B,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)4.7V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.1V @ 100mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电2µA @ 1V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大310mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)80 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-90,SOD-323F
  • 供应商设备封装SOD-323F
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称PZU4.7B115-CHP