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2SK2684-01S 发布时间 时间:2025/9/6 21:08:39 查看 阅读:16

2SK2684-01S 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道MOSFET场效应晶体管,广泛用于电源管理、开关电路和功率放大器等应用。这款MOSFET具有高耐压和低导通电阻的特点,适用于高效能、小型化电源系统的设计。该器件采用SOP(Small Outline Package)封装,适合表面贴装工艺。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(VDS):100V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):5A
  导通电阻(RDS(ON)):约0.85Ω
  功率耗散(PD):2W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOP-8

特性

2SK2684-01S MOSFET在设计上采用了先进的沟槽式结构,以降低导通电阻并提高电流处理能力。其高耐压特性使其能够适用于各种中高压功率转换应用。该器件的栅极设计优化了开关性能,减少了开关损耗,从而提高了整体效率。此外,其SOP-8封装形式具有良好的散热性能,适用于紧凑型电路板布局。
  这款MOSFET在高温环境下仍能保持稳定工作,具有良好的热稳定性和可靠性。其低导通电阻特性不仅降低了功率损耗,还减少了发热,有助于提高电源系统的整体效率。同时,该器件具有较高的抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中稳定工作。
  2SK2684-01S还具备快速开关能力,适用于高频开关电源和DC-DC转换器。其栅极驱动要求较低,兼容标准逻辑电平驱动,简化了驱动电路设计。

应用

2SK2684-01S MOSFET常用于以下应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器;
  2. DC-DC转换器,如升压(Boost)和降压(Buck)变换器;
  3. 电池管理系统中的充放电控制电路;
  4. 电机驱动电路和负载开关;
  5. 消费类电子产品中的电源管理模块;
  6. 工业控制系统中的功率开关。

替代型号

2SK2684-01S 的替代型号包括:2SK3018、2SK2684-01L、SiSS14DN、IRLML6401。

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