时间：2025/8/9 6:21:27
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2SK3516-01S是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于高频率开关应用，具有优异的导通和开关性能。该MOSFET采用先进的沟槽技术，提供了较低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗。此外，该器件封装形式为SOP（小外形封装），适用于表面贴装技术，便于在紧凑空间中使用。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：15A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（典型值）
功率耗散（Pd）：45W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP
2SK3516-01S具有低导通电阻特性，使其在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高整体效率。其先进的沟槽技术不仅优化了导通性能，还增强了器件的热稳定性，使其在高负载条件下也能保持良好的工作状态。此外，该MOSFET具有较高的开关速度，适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等应用。其SOP封装设计减小了PCB空间需求，并提高了组装效率。2SK3516-01S还具有良好的抗雪崩能力，能够承受瞬时过电压，从而提高了系统的可靠性。
在热性能方面，该MOSFET具有较低的热阻（Rth），确保了在高功率工作时的散热能力。其栅极驱动特性也经过优化，降低了驱动损耗，从而进一步提高了系统的能效。由于其优异的性能指标，2SK3516-01S广泛应用于电源管理、电池供电设备、电动工具、功率放大器以及各类工业自动化设备中。
2SK3516-01S适用于多种功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、LED照明驱动器、电池管理系统（BMS）以及各类工业控制设备。由于其高频特性，也常用于无线充电和功率因数校正（PFC）电路中。
2SK3516-01S的替代型号包括2SK3518-01S、2SK3515-01S、Si4410BDY、IRFZ44N、FDMS86101
