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PBSS5230T 发布时间 时间:2025/9/15 3:28:27 查看 阅读:15

PBSS5230T是一款由Nexperia(安世半导体)生产的NPN型双极性晶体管(BJT),采用TrenchMOS技术制造。该器件主要设计用于高电流开关应用,具有低饱和电压(VCEsat)和高电流承载能力的特点,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。该晶体管采用SOT223封装形式,具备良好的热性能和空间效率,适合在紧凑型电子设备中使用。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极-发射极电压(VCEO):30V
  最大集电极电流(IC):5A
  最大功率耗散(PD):1.5W
  增益带宽积(fT):100MHz
  最小/典型饱和电压(VCEsat):0.15V @ IC=5A
  封装类型:SOT223

特性

PBSS5230T的主要特性包括:
  1. **低饱和压降(VCEsat)**:在大电流条件下仍能保持较低的压降,显著减少功率损耗,提高系统效率。
  2. **高电流承载能力**:最大集电极电流可达5A,适用于高电流负载的开关控制。
  3. **优异的热稳定性**:基于SOT223封装设计,具有良好的散热性能,适用于高功率密度的应用环境。
  4. **快速开关特性**:具备较高的开关速度,适合用于高频开关电路中。
  5. **集成保护特性**:内置一定的过载保护能力,提高了器件的可靠性和耐用性。
  6. **高可靠性**:采用先进的半导体制造工艺,确保在恶劣工作条件下也能稳定运行。

应用

PBSS5230T广泛应用于各种电子系统中,包括:
  1. **电源管理系统**:如DC-DC转换器、稳压器、电池充电器等,作为高效率的功率开关器件。
  2. **工业自动化控制**:用于电机驱动、继电器控制和工业执行器的开关控制。
  3. **汽车电子**:适用于车载电源管理、LED照明控制、电动门窗和座椅调节等汽车应用场景。
  4. **消费类电子产品**:如智能家电、便携式设备的电源管理模块。
  5. **通信设备**:用于基站电源、路由器和交换机中的电源开关控制。
  6. **物联网(IoT)设备**:适用于需要高可靠性和高效率的小型化电源控制系统。

替代型号

PBSS5240T, PSMN5.5-30YLC, FDS6680, IPB180N06N3 G

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PBSS5230T参数

  • 安装类型表面贴装
  • 宽度1.4mm
  • 封装类型TO-236AB
  • 尺寸1 x 3 x 1.4mm
  • 引脚数目3
  • 晶体管类型PNP
  • 最低工作温度-65 °C
  • 最大功率耗散480 mW
  • 最大发射极-基极电压5 V
  • 最大基极-发射极饱和电压1.1 V
  • 最大直流集电极电流2 A
  • 最大集电极-发射极电压30 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压0.35 V
  • 最大集电极-基极电压30 V
  • 最小直流电流增益100 V
  • 最高工作温度+150 °C
  • 最高工作频率200 MHz
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别双极小信号
  • 配置
  • 长度3mm
  • 高度1mm