时间：2025/6/12 16:00:13
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HUF76437S3S是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。该器件采用超薄封装设计，具备低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提高系统效率。其高雪崩击穿能力和出色的热稳定性使其在多种严苛环境下具有可靠的性能表现。
这款MOSFET特别适用于对空间要求严格的应用场合，例如便携式电子设备、智能手机充电器以及消费类电子产品中的功率管理电路。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻（典型值）：5.2mΩ
栅极电荷：18nC
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：LFPAK56E
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提升整体效率。
2. 高雪崩击穿能力，提供更强的过载保护性能。
3. 快速开关特性，适合高频应用环境。
4. 小型化封装设计，节省PCB板空间。
5. 宽泛的工作温度范围，适应各种极端条件下的使用需求。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. 电机驱动电路中的半桥或全桥拓扑。
3. 负载开关和保护电路。
4. 消费类电子产品中的电池管理系统。
5. 充电器和适配器中的功率转换模块。
6. LED驱动电路中的开关元件。
HUF76437N3, HUF76437S3
