RR601B4S TL 时间：2025/11/8 4:31:50 阅读：10

RR601B4S TL是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极和双扩散结构工艺制造，专为高效率开关应用设计。该器件封装在小型且高效的TSLM-3（或等效超薄S-Mini）表面贴装封装中，具有低导通电阻、高电流处理能力和良好的热性能，适用于空间受限但要求高性能的便携式电子设备与电源管理系统。其主要特点包括低输入电容、快速开关速度以及优异的雪崩耐受能力，使其在DC-DC转换器、负载开关、电池供电系统以及其他需要高效能功率开关的场合中表现出色。RR601B4S TL遵循AEC-Q101汽车级可靠性标准，具备高可靠性和长期稳定性，适合工业控制、消费类电子产品及车载电子系统的广泛应用场景。

参数

型号：RR601B4S TL
　　通道类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大连续漏极电流（Id）：5.2A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：18A
　　最大耗散功率（Pd）：1W
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.0V
　　栅极阈值电压测试条件：Vds=10V, Id=250μA
　　导通电阻Rds(on) max：37mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻Rds(on) max：45mΩ @ Vgs=4.5V
　　输入电容（Ciss）：420pF @ Vds=30V
　　输出电容（Coss）：100pF @ Vds=30V
　　反向传输电容（Crss）：15pF @ Vds=30V
　　体二极管恢复时间（trr）：18ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TSLM-3（超薄S-Mini）
　　安装类型：表面贴装

特性

RR601B4S TL采用罗姆专有的沟槽栅极技术，实现了极低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V时典型值仅为37mΩ，在同类60V N沟道MOSFET中处于领先水平。这种低Rds(on)特性显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率，特别适用于对能效要求严苛的应用如移动设备电源管理模块和便携式充电装置。此外，由于采用了优化的芯片结构设计，该器件能够在较小的封装尺寸下承受较高的电流密度，最大连续漏极电流可达5.2A，短时脉冲电流更高达18A，展现出出色的电流处理能力。
　　该MOSFET具备快速开关响应特性，输入电容Ciss仅为420pF，配合较低的栅极电荷量，使其在高频开关环境中表现优异，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的DC-DC转换电路。同时，其反向传输电容Crss低至15pF，有助于减少米勒效应带来的误触发风险，提高开关稳定性与抗干扰能力。器件的体二极管反向恢复时间trr为18ns，属于较快恢复类型，可有效降低反向恢复过程中的能量损耗和电压尖峰，从而提升系统可靠性并减少EMI噪声。
　　RR601B4S TL的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，支持极端环境下的稳定运行，并通过了AEC-Q101认证，表明其符合汽车电子元器件的严苛可靠性标准，可用于车载信息娱乐系统、LED驱动、电动工具控制板等高要求领域。TSLM-3封装不仅体积小巧（典型尺寸约1.6mm x 1.6mm x 0.55mm），还具备优良的散热性能，便于实现紧凑型PCB布局的同时保证足够的热传导路径。综合来看，RR601B4S TL是一款集高性能、小型化与高可靠性于一体的先进功率MOSFET解决方案。

应用

广泛应用于DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、负载开关、电池供电设备的电源管理单元、智能手机和平板电脑中的电压调节模块、便携式医疗设备、无线耳机充电仓电源控制、LED背光驱动电路、USB Type-C PD电源路径管理、工业传感器供电系统以及小型电机驱动控制器等领域。其小尺寸封装也使其成为可穿戴设备和物联网终端的理想选择。