时间：2025/5/10 8:41:00
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L2N7002KLT1G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TOLL 封装，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于多种开关应用。其出色的性能使得它在汽车电子、工业控制和消费类电子产品中得到了广泛应用。
这款 MOSFET 的设计旨在支持大电流负载并提供卓越的热性能，使其能够承受严苛的工作环境。L2N7002KLT1G 具有快速开关速度和较低的栅极电荷，从而降低了开关损耗，提高了整体系统效率。
最大漏源电压：70V
连续漏极电流：248A
导通电阻：3.6mΩ
栅极电荷：155nC
最大工作结温：175℃
封装形式：TOLL
L2N7002KLT1G 提供了低导通电阻以减少功率损耗，并且具有较高的雪崩能力，增强了器件的鲁棒性。此外，其快速开关特性有助于降低电磁干扰 (EMI)，同时提高效率。TOLL 封装提供了出色的散热性能，允许更高的电流密度和更小的设计空间。此外，该器件符合 RoHS 标准，适合环保要求严格的应用场景。
主要特点包括：
1. 极低的导通电阻，确保高效运行。
2. 快速开关性能，减少开关损耗。
3. 高电流承载能力，满足大功率应用需求。
4. 高温操作能力，适用于恶劣环境。
5. 符合 AEC-Q101 标准，保证汽车级可靠性。
L2N7002KLT1G 广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子 - 包括电动助力转向系统 (EPS)、制动系统、发动机管理等。
2. 工业设备 - 如电机驱动器、逆变器、不间断电源 (UPS) 等。
3. 消费类电子产品 - 例如适配器、充电器和其他需要高效功率转换的设备。
4. 电池管理系统 (BMS) - 用于保护电池组免受过充或过放的影响。
5. 太阳能逆变器 - 为太阳能发电系统提供高效的功率转换功能。
L2N7002KTR1G, L2N7002KLR1G
