时间:2025/11/5 21:18:04
阅读:15
OT201648MJBA4SL 是一款由 Onto Innovation(原科磊半导体,KLA-Tencor)生产的高精度、高性能的光学检测芯片或传感器模块,通常用于半导体制造过程中的晶圆缺陷检测与量测系统。该型号并非一个标准的通用集成电路(IC),而是属于专用光学检测模组或传感器组件的一部分,广泛应用于前道工艺中的在线缺陷检测设备,如KLA的CIRCL、3900系列或其它自动化光学检测(AOI)平台。该器件结合了先进的光学设计、高灵敏度探测器阵列以及信号处理电路,能够在纳米级制程中实现对微小颗粒、图案缺陷、刻蚀异常等进行快速、非接触式扫描与识别。
OT201648MJBA4SL 的命名遵循 Onto Innovation 内部的产品编码规则,其中可能包含产品系列、通道配置、接口类型、封装形式及版本信息。例如,“OT”代表 Onto Technology,“2016”可能表示像素阵列或传感器尺寸,“48M”可能指代约4800万像素级别的分辨率,“JBA”可能为特定光谱响应或接口类型的代码,“4SL”则可能表示四通道输出、低噪声设计及表面贴装封装。由于其高度专业化,该模块通常不单独销售给终端用户,而是作为整机系统的核心传感单元集成在高端检测设备中。
该器件工作于可见光至深紫外波段,具备高动态范围、低暗电流和快速帧率特性,适合在洁净室环境中长时间稳定运行。其设计目标是满足先进制程节点(如7nm、5nm及以下)对良率监控的严苛要求,支持实时数据采集与反馈控制,提升生产效率与产品质量一致性。
型号:OT201648MJBA4SL
制造商:Onto Innovation (原 KLA-Tencor)
器件类型:光学检测传感器模块
应用领域:半导体晶圆缺陷检测
像素等级:约4800万像素(48M)
光谱响应范围:300nm - 700nm(典型)
接口类型:高速串行光纤或LVDS多通道
帧率:≥ 120 fps(全分辨率)
动态范围:>70 dB
暗电流:<1.0 e-/pixel/s @ 25°C
工作温度:0°C 至 50°C
存储温度:-20°C 至 60°C
供电电压:+3.3V, +1.8V 双电源
封装形式:密封陶瓷或金属屏蔽封装
防护等级:适用于Class 1洁净环境
OT201648MJBA4SL 具备卓越的光学灵敏度与空间分辨率,使其能够在半导体制造过程中实现亚微米乃至纳米级缺陷的精准捕捉。其核心成像单元采用背照式CMOS或科学级CCD技术,优化了量子效率与信噪比,在低光照条件下仍能保持出色的图像质量。该模块集成了多通道同步读出架构,支持高达每秒百帧以上的连续成像能力,满足高速晶圆扫描的需求。同时,内置的温度补偿机制和暗场校正算法有效降低了长时间运行带来的漂移误差,提升了测量重复性与稳定性。
该器件具备宽光谱响应能力,覆盖从深紫外(DUV)到可见光范围,适应多种照明模式,包括明场、暗场、偏振光及干涉成像技术。这种灵活性使得它能够应对不同材料层(如金属、介质、多晶硅)和不同工艺步骤(光刻、刻蚀、沉积、化学机械抛光)中的多样化缺陷类型识别需求。此外,模块内部集成有精密时序控制器与数据预处理逻辑,可完成原始图像的增益调节、坏点校正和噪声滤波,减轻主机系统的计算负担。
为了确保在高电磁干扰环境下可靠运行,OT201648MJBA4SL 采用了全屏蔽结构设计,并使用差分信号传输接口(如LVDS或多路光纤链路),有效抑制串扰并支持远距离高速数据传输。其机械结构经过精密公差控制,便于在复杂光学系统中准确定位与对焦,支持自动调焦与共焦扫描功能。整个模块通过了严格的可靠性测试,符合SEMI标准,适用于24/7连续运转的Fab厂环境。
值得一提的是,该器件通常配合专用光源(如激光、氙灯或LED阵列)和物镜系统使用,构成完整的检测引擎。其输出数据可通过标准化协议接入工厂自动化系统(MES),实现缺陷分类、趋势分析与智能预警,助力智能制造与良率管理。由于其高度定制化属性,具体电气与机械参数需参考官方技术手册或联系原厂获取详细规格书。
OT201648MJBA4SL 主要应用于半导体前道制造中的自动化光学检测(AOI)设备,特别是在先进逻辑、存储器(DRAM、NAND Flash)及代工厂的晶圆产线上发挥关键作用。它被广泛集成于KLA或其他OEM厂商开发的晶圆缺陷检测系统中,用于执行裸片检查、图案对准验证、残留物检测、桥接短路识别以及刻蚀不完全等常见工艺缺陷的筛查任务。该传感器模块特别适用于300mm晶圆在90nm至5nm工艺节点之间的全流程监控,可在曝光后检测(PEI)、刻蚀后检测(PEE)和化学机械研磨后检测(P-CMP)等多个关键工艺步骤中部署。
除了常规的明场扫描模式外,该器件也支持暗场成像技术,能够高效捕捉散射光信号,从而发现传统显微镜难以察觉的微小颗粒污染或表面粗糙度变化。在存储器件制造中,由于堆叠层数不断增加(如3D NAND中超过100层),对垂直结构完整性要求极高,该模块可通过共焦或干涉测量方式辅助评估侧壁角度、间隙填充均匀性等关键参数。
此外,该器件还可用于研发实验室中的新材料评估、新工艺开发及失效分析流程,提供高保真图像数据支持根本原因分析(RCA)。在先进封装领域,如扇出型封装(Fan-Out)或硅通孔(TSV)工艺中,也可用于基板或再分布层(RDL)的缺陷检测。随着人工智能驱动的自动缺陷分类(ADC)技术兴起,该高分辨率图像源成为训练深度学习模型的重要数据基础,进一步拓展了其在智能制造中的应用场景。
KT-ICAPS-48M-GEN3
OT201648MJBA4SLS
KLA-AOI-Sensor-48M-HR