2SK2286是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频率和高功率应用。该器件具有优良的导通特性和快速开关性能,常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及音频放大器等应用中。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):15A
功率耗散(Pd):100W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
2SK2286具有多项显著的性能特点,使其在高功率和高频率应用中表现出色。首先,其最大漏源电压为60V,支持中等功率的开关应用,而±20V的栅源电压则提供了较高的控制灵活性,允许在不同驱动条件下稳定工作。此外,15A的最大连续漏极电流能力使其适用于需要高电流输出的电路,如电源转换器和马达驱动器。
该MOSFET的功率耗散能力为100W,能够在较高负载条件下保持稳定运行,而不会因过热而失效。其采用TO-220封装形式,便于散热并方便安装在散热片上,从而提高热管理和可靠性。TO-220封装也具有良好的机械强度和电气隔离性能,适合工业级应用环境。
2SK2286还具备快速开关特性,有助于减少开关损耗,提高系统效率。这对于高频DC-DC转换器、开关电源(SMPS)和音频放大器等应用尤为重要。其低导通电阻(Rds(on))也有助于降低导通状态下的功率损耗,提高整体能效。
另外,该器件的热阻较低,有助于快速散热,从而提升整体系统的稳定性和可靠性。2SK2286在-55°C至150°C的工作温度范围内均可稳定工作,适用于各种严苛环境下的电子设备。
2SK2286因其高电流能力、快速开关特性和良好的热稳定性,广泛应用于多个电子领域。例如,它常用于开关电源(SMPS)中作为主开关器件,以实现高效的电能转换;在DC-DC转换器中,它可用于升压或降压拓扑结构,以适应不同电压等级的需求;在电机控制电路中,它可用于驱动直流电机或步进电机,实现精确的速度和位置控制。
此外,该MOSFET也适用于音频功率放大器,尤其是在高保真音响系统中作为输出级开关器件,能够提供良好的音质表现和较高的效率。同时,它还可用于逆变器、UPS系统、电池管理系统和工业自动化设备中的高功率开关控制。
由于其高可靠性和良好的热管理能力,2SK2286也常用于汽车电子系统,如车载电源管理系统、LED照明驱动器以及电动车的电池控制模块等。
2SK2287, 2SK2288, IRFZ44N, FDPF6N60