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GA1206A221KXCBT31G 发布时间 时间:2025/6/30 14:23:30 查看 阅读:5

GA1206A221KXCBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动以及负载切换等应用领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高耐压能力,从而提升了效率和可靠性。
  其封装形式为表面贴装型,适合自动化生产,并且具备良好的热性能表现。凭借出色的电气特性和紧凑的设计,GA1206A221KXCBT31G 广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子等领域。

参数

类型:功率 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  总功耗(Ptot):220W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装:TO-263-3

特性

GA1206A221KXCBT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高电流承载能力,支持大功率应用场景。
  3. 快速开关速度,能够有效降低开关损耗。
  4. 强大的热稳定性,确保在极端条件下仍能保持正常运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  6. 内置静电保护功能,增强了芯片的抗干扰能力。
  这些特点使 GA1206A221KXCBT31G 成为众多高要求应用的理想选择。

应用

该功率 MOSFET 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. 电动工具和家用电器的电机驱动电路。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. 大功率 LED 照明系统的驱动电路。
  6. 其他需要高效功率转换和控制的场合。

替代型号

IRFZ44N
  STP40NF06L
  FDP5500
  AO3400

GA1206A221KXCBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容220 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-