电容：1000pF (1nF)
　　容差：±20%
　　额定电压：35V DC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，电容变化不超过±15%）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：EIA 0805（2012公制）
　　端接类型：镍阻挡层（Ni Barrier）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　介质材料：陶瓷（Class II, X7R）
　　老化率：约2.5%每1000小时
　　直流偏压特性：中等，在接近额定电压时电容值会有所下降

UBX1V102MHL所采用的X7R型陶瓷介质赋予其优异的温度稳定性，能够在-55°C至+125°C的宽温范围内保持电容值的变化控制在±15%以内，这使其非常适合用于环境温度波动较大的工业和汽车电子系统中。该电容器在不同温度条件下的性能一致性较高，避免了因温度变化引起的电路参数漂移问题，从而提高了整个系统的可靠性。此外，X7R材料还具有较好的老化稳定性，虽然存在一定的自然老化趋势（典型值约为每1000小时减少2.5%），但这一特性在大多数非精密计时或滤波应用中是可以接受的，并可通过电路设计进行补偿。
　　该器件具备良好的电压稳定性和直流偏压响应。尽管X7R介质在施加高直流偏压时会出现电容下降的现象，但在实际使用中，只要工作电压保持在额定电压的70%-80%以下，其电容值仍能维持在一个可预测且稳定的范围内。这对于电源去耦和噪声滤波应用尤为重要，因为在这些场景中，即使电容值略有降低，仍然能够有效抑制高频噪声并稳定供电电压。同时，该电容器的低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性使其在高频环境下表现优异，有助于减少能量损耗并提高滤波效率。
　　UBX1V102MHL采用镍阻挡层端子结构，增强了焊接可靠性和抗迁移能力，特别是在潮湿高温环境下表现出更强的耐久性。这种结构可以有效防止银离子迁移导致的短路故障，显著提升产品在恶劣环境下的使用寿命。此外，该器件兼容无铅回流焊工艺，符合RoHS环保指令要求，适用于现代绿色电子产品制造流程。其表面贴装封装形式便于自动化生产，提升了组装效率和良品率。整体而言，UBX1V102MHL是一款集高稳定性、良好电气性能和高可靠性于一体的多层陶瓷电容器，适用于多种严苛应用场景。

UBX1V102MHL多层陶瓷电容器广泛应用于各类需要稳定电容性能和高可靠性的电子系统中。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和智能电视等设备中，该电容器常被用作电源管理单元的去耦电容，用于平滑DC-DC转换器输出电压，抑制高频噪声干扰，确保处理器和其他敏感元件的稳定运行。其小型化封装特点使其非常适合高密度PCB布局需求，有助于缩小整机体积。
　　在通信设备领域，该器件可用于射频模块、基站前端电路和数据传输接口的滤波网络中，发挥其低ESR和优良频率响应的优势，提升信号完整性和系统抗干扰能力。尤其是在高速数字通信系统中，稳定的去耦电容对于维持电源完整性（Power Integrity）至关重要，UBX1V102MHL能够有效降低电源轨道上的电压纹波和瞬态波动。
　　在工业控制系统中，如PLC控制器、变频器和传感器模块，该电容器可用于电源滤波和信号耦合电路，适应宽温工作环境的要求。其通过AEC-Q200认证的特点也使其进入汽车电子应用成为可能，例如车载信息娱乐系统、ADAS辅助驾驶模块和车身控制单元中，承担去耦、滤波和瞬态保护等功能。此外，在医疗电子、测试测量仪器和电源适配器等对长期稳定性要求较高的设备中，该电容器同样表现出良好的适用性。

GRM21BR71V102KA01L
　　CL21A102KBQNNNE
　　C2012X7R1V102K