品牌：EPCOS (TDK)
　　类型：多层陶瓷电容器 (MLCC)
　　电容值：33nF
　　容差：±20%
　　额定电压：100V DC
　　温度特性：X7R (-55°C to +125°C, ±15%)
　　封装/尺寸：0805 (2012 公制)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　直流电阻 (DCR)：不适用
　　ESR（等效串联电阻）：低（典型值在几毫欧到几十毫欧之间，具体取决于频率）
　　安装类型：表面贴装 (SMD)
　　产品等级：工业级 / 汽车级 (AEC-Q200)
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是

B82477G4333M采用先进的多层陶瓷制造工艺，内部由多个交替堆叠的镍内电极和钡钛酸盐基X7R介电材料层构成，这种结构不仅实现了较高的体积效率，还确保了在宽温度范围内稳定的电容性能。X7R材料的温度系数表现优异，在-55°C至+125°C的工作区间内，电容值的变化被严格控制在±15%以内，使其适用于对温度稳定性有一定要求但不需要NP0/C0G级别精度的场合。该电容器的100V额定电压使其能够安全应用于多种中高压信号耦合、滤波和电源去耦场景，例如开关电源输出端的噪声抑制或DC-DC转换器输入端的瞬态响应优化。
　　其0805小型化封装在保持良好焊接可靠性和热循环耐久性的同时，显著节省了印刷电路板的空间，特别适合高密度布局的设计需求。该器件具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），因此在高频下仍能维持较高的阻抗性能，有效提升去耦效果，减少电源轨道上的电压波动。此外，B82477G4333M通过了AEC-Q200应力测试认证，表明其在极端温度循环、湿度、机械振动和寿命测试中均表现出卓越的可靠性，非常适合部署于汽车电子系统如引擎控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统和ADAS传感器模块中。
　　该电容器在制造过程中采用无铅端接技术，符合RoHS环保标准，支持现代绿色电子产品制造流程。其端电极通常采用三层电镀结构（铜-镍-锡），增强了抗硫化能力和焊点可靠性，尤其适用于工业和交通领域可能存在的恶劣环境。总体而言，B82477G4333M是一款集高电压、稳定电容、小尺寸与高可靠性于一体的MLCC，广泛用于需要长期稳定运行的关键电子系统中。

B82477G4333M凭借其100V耐压、33nF电容值及X7R温度特性，广泛应用于多个高要求的电子系统中。在汽车电子领域，它常用于发动机控制单元（ECU）、车身电子模块、车载充电器（OBC）和DC-DC转换器中的去耦和滤波电路，以应对车辆运行中频繁的电压波动和温度变化。其AEC-Q200认证确保其能够在-40°C至+125°C的实际车载环境中长期稳定运行，抵抗热冲击和机械振动。
　　在工业控制系统中，该电容器可用于PLC（可编程逻辑控制器）、变频器、电机驱动器和电源模块中，作为中间总线去耦或信号路径滤波元件，帮助抑制电磁干扰（EMI）并提高系统抗噪能力。在通信设备中，如基站射频模块、光模块电源管理部分，B82477G4333M可用于局部电源稳压，降低高频噪声对敏感模拟电路的影响。
　　此外，在消费类高端电源适配器、LED照明驱动电源以及医疗电子设备中，该器件也因其高可靠性而受到青睐。例如，在反激式或LLC谐振转换器中，它可以用于RC缓冲电路（snubber circuit）中吸收漏感尖峰能量，保护MOSFET免受过压损坏。同时，由于其良好的高频响应特性，也可用于模拟信号链中的交流耦合电容，特别是在音频或传感器接口电路中实现直流偏置隔离。
　　总之，B82477G4333M适用于所有需要在紧凑空间内实现中等电容值、较高耐压和良好温度稳定性的去耦、滤波、旁路和缓冲应用场景，尤其是在强调长期可靠性和环境适应性的工业与汽车系统中表现尤为突出。

GRM21BR71H333KA01L
　　CL21B333KAQNNNE
　　C2012X7R1H333K075AE
　　MCN21BB333KA5GT