时间：2025/6/16 12:10:43
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NJVMJD44H11T4G 是一款高性能的存储器芯片，主要应用于需要大容量和高速数据传输的场景。该芯片采用了先进的制造工艺，具备低功耗、高稳定性和长寿命的特点。其设计优化了数据读写速度和存储密度，适用于工业控制、消费电子及网络通信设备等领域。
该芯片在结构上融合了多层存储单元技术，进一步提升了单位面积的存储能力，并通过内置的纠错算法（ECC）提高了数据的可靠性。
类型：DRAM
容量：4GB
接口：DDR4
工作电压：1.2V
数据速率：3200 MT/s
封装形式：BGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
引脚数：78-ball
尺寸：10mm x 14mm
NJVMJD44H11T4G 具备以下显著特点：
1. 高速性能：支持高达 3200MT/s 的数据传输速率，满足现代设备对快速数据处理的需求。
2. 低功耗设计：采用 1.2V 工作电压，有效降低了能耗，适合便携式和电池供电设备。
3. ECC 内置支持：集成错误检测与纠正功能，确保数据的完整性与准确性。
4. 稳定性：即使在极端温度条件下也能保持正常工作，适应各种恶劣环境。
5. 小型化封装：BGA 封装方式减小了 PCB 占用空间，同时提高了散热性能。
该芯片广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 消费电子产品：如平板电脑、智能电视和高端智能手机等。
2. 工业自动化：用于 PLC 控制器、机器人系统以及其他工业计算设备。
3. 通信设备：交换机、路由器和基站中的缓存和临时数据存储。
4. 嵌入式系统：为嵌入式计算机提供高效的内存解决方案。
5. 游戏设备：游戏主机和其他图形密集型硬件的数据缓冲。
MT8JTF1G32HZ-093, H5TC4G63AFR-PBA, K4B2G1646D
