时间：2025/6/3 21:34:16
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CDR34BP272BJZPAT是一款高性能的双极性晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT），专为高功率放大和开关应用设计。该晶体管采用了先进的封装技术，确保在恶劣环境下也能稳定工作。
该型号属于东芝（Toshiba）公司的半导体产品线，广泛应用于工业控制、电源管理和音频设备等领域。其出色的电流增益和低饱和电压使其成为高效率功率转换的理想选择。
集电极-发射极击穿电压：60V
集电极最大电流：15A
直流电流增益（hFE）：10~120
功耗：180W
结温范围：-55℃~150℃
封装形式：TO-264
1. 高电流处理能力：CDR34BP272BJZPAT能够承受高达15A的集电极电流，适用于大功率场景。
2. 低饱和电压：该晶体管在导通状态下表现出较低的饱和电压，有助于减少功率损耗并提高整体效率。
3. 宽温度范围：支持-55℃至150℃的工作结温范围，适合各种极端环境下的应用。
4. 稳定性：即使在高频或高温条件下，该器件仍能保持稳定的性能输出。
5. 先进封装：采用TO-264封装，具备良好的散热特性和机械强度。
CDR34BP272BJZPAT主要应用于需要高电流驱动和高效能量转换的场合，例如：
1. 工业设备中的功率放大器。
2. 开关电源和DC-DC转换器。
3. 电机控制和驱动电路。
4. 音频功率放大器。
5. 各类保护电路和负载切换开关。
由于其出色的电气性能和可靠性，该晶体管在多个行业中得到了广泛应用。
2SD1973, CXT16AN50C, MJ11015
