时间：2025/6/3 21:39:36
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CDR31BX332BMZMAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 材料设计的 MOSFET 功率器件，广泛应用于高效率、高频开关场景中。该芯片具有出色的热性能和低导通电阻特性，适用于工业电源、电动汽车、太阳能逆变器等领域的高性能功率转换系统。
这款 SiC MOSFET 的设计使其在高频开关条件下仍能保持高效的能量转换，并且能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
型号：CDR31BX332BMZMAT
类型：SiC MOSFET
耐压：1200V
连续漏极电流：33A
导通电阻：1.9mΩ（典型值）
栅极电荷：75nC（最大值）
开关频率：最高支持超过 1MHz
封装形式：TO-247-4L
CDR31BX332BMZMAT 的主要特性包括：
1. 高耐压能力：1200V 的额定电压确保其能够在高压环境下工作，例如新能源汽车的逆变器或光伏系统的功率模块。
2. 低导通电阻：仅为 1.9mΩ 的典型导通电阻可显著降低传导损耗，提升整体效率。
3. 快速开关性能：得益于碳化硅材料的优异性能，该器件能够以 MHz 级别的频率运行，适合高频应用。
4. 热稳定性强：能够在 -55°C 至 +175°C 的结温范围内稳定工作，适应极端环境条件。
5. 耐高温封装：采用 TO-247-4L 封装，具备良好的散热性能，同时提供四引脚设计以优化栅极驱动回路布局。
6. 可靠性高：通过了严格的可靠性测试，满足 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
CDR31BX332BMZMAT 主要应用于以下领域：
1. 工业电源：如服务器电源、通信电源等，需要高效能量转换的场合。
2. 新能源汽车：用于车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器和电机控制器。
3. 光伏逆变器：实现高效的能量采集与转换，特别是在组串式逆变器中。
4. UPS 系统：为不间断电源提供更高的效率和更小的体积。
5. 高频 DC-DC 转换器：利用其快速开关能力来设计紧凑型电源解决方案。
6. 其他功率转换设备：如无线充电站、储能系统等。
CDR31BX332BMZMATN, CDR31AX332BMZMAT
