时间：2025/5/14 18:20:42
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GMC04CG221F100NT是一款高性能的功率MOSFET芯片，属于N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的半导体制造工艺设计，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。它适用于各种需要高效能功率转换和开关的应用场景。
该型号特别适合用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、电机驱动以及负载开关等应用中。其出色的电气特性和可靠性使得其成为众多工业和消费电子领域的理想选择。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：22A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：75nC
开关频率：高达1MHz
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
GMC04CG221F100NT的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，从而减小磁性元件的尺寸并提升系统紧凑性。
3. 高度稳定的电气性能，确保在不同工作条件下的可靠运行。
4. 内置ESD保护机制，增强抗静电能力，减少失效风险。
5. 热阻低，散热性能优异，有助于延长产品寿命。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
GMC04CG221F100NT广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）和适配器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 新能源汽车中的车载充电器和逆变器。
4. 工业自动化设备中的负载控制与保护。
5. 高效DC-DC转换器模块。
6. 大功率LED驱动器及照明系统。
7. 各类电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
GMC04CG221F120NT
GMC04CG221F80NT
IRF840
FDP15N10
STP22NF10
