时间：2025/8/13 16:30:03
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SM230AF是一款由ONSEMI（安森美半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率开关应用。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器和电机控制等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V
连续漏极电流（Id）：10A（@25℃）
导通电阻（Rds(on)）：0.028Ω（@Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装类型：TO-220AB
SM230AF采用先进的沟槽技术，确保了低导通电阻和高电流承载能力，从而提高了系统的整体效率。该器件的栅极设计优化，使得开关损耗显著降低，适用于高频开关电源应用。此外，SM230AF具有良好的热稳定性，在高负载条件下依然能够保持稳定的工作性能。其封装形式（TO-220AB）具备良好的散热能力，有助于提高器件的可靠性和寿命。
该MOSFET的栅极驱动电压范围宽泛，支持常见的10V至15V驱动电压，便于与多种控制电路兼容。同时，其内部结构设计减少了寄生电容，从而降低了开关过程中的能量损耗，提高了系统效率。SM230AF还具备较高的抗静电能力和过载保护能力，适用于复杂环境下的电力电子系统。
SM230AF广泛应用于各种电力电子设备中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）。此外，它也适用于工业自动化控制、汽车电子和消费类电子产品中的高效电源管理模块。由于其良好的热性能和高频特性，该器件在需要高效率和高稳定性的场合表现出色。
SI4410BDY, IRF3703PBF, FDP3370
