尺寸：0201英寸 (0603公制)
　　电容值：1.6pF
　　额定电压：25V DC
　　电介质材料：C0G（NP0）
　　温度系数：0±30ppm/℃
　　工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
　　电容容差：±0.1pF
　　直流偏压特性：无显著容量下降
　　绝缘电阻：≥100GΩ 或 R×C≥10000MΩ·μF
　　最大纹波电流：依据应用条件而定
　　ESR（等效串联电阻）：极低，典型值在毫欧级别
　　ESL（等效串联电感）：极低，适合高频应用

CL03C1R6BA3GNNC所采用的C0G（NP0）电介质材料赋予了其卓越的温度稳定性，其电容值在-55℃至+125℃的工作温度范围内几乎不随温度变化，温度系数仅为0±30ppm/℃，这意味着在极端环境条件下仍能保持高度一致的电气性能，非常适合对频率稳定性要求极高的射频和时钟电路。该电容器的电容容差控制在±0.1pF，精度极高，可用于需要精确匹配的高频匹配网络和滤波器设计中，确保系统性能的一致性和可重复性。由于C0G材料本身为Ⅰ类陶瓷，具有非常低的介电损耗（tanδ通常小于0.1%），因此在高频下能量损耗极小，不会引起明显的发热或信号衰减，特别适用于GHz级别的无线通信前端模块。
　　该器件采用0201小型封装，尺寸仅为0.6mm×0.3mm×0.3mm左右，极大节省了PCB空间，满足现代电子产品向轻薄化、高集成度发展的需求。尽管体积微小，但其结构设计优化了机械强度与焊接可靠性，能够承受回流焊过程中的热应力，并具备良好的抗弯曲和抗振动能力，降低了因基板形变导致的开裂风险。此外，CL03C1R6BA3GNNC具有优异的直流偏压特性，不同于X7R或Y5V等Ⅱ类介质电容，在施加直流电压后电容量不会显著下降，保证了在偏置电压下的稳定工作。
　　该电容器还表现出极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频去耦、旁路和阻抗匹配应用中表现优异，有助于提升信号完整性和电源完整性。其高绝缘电阻（≥100GΩ）也确保了极低的漏电流，适用于高阻抗和低功耗电路。整体而言，CL03C1R6BA3GNNC是一款高性能、高可靠性的高频瓷介电容，适用于对稳定性、精度和尺寸都有严苛要求的应用场合。

CL03C1R6BA3GNNC主要用于高频模拟电路和射频前端模块中，典型应用场景包括移动通信设备中的天线匹配网络、功率放大器输出匹配、低噪声放大器输入匹配以及滤波器谐振元件。由于其C0G材质带来的高Q值和低损耗特性，它常被用于构建LC振荡电路、SAW滤波器旁路、RF耦合与去耦电路，以确保信号传输的稳定性和效率。在高速数字系统中，该电容也可作为高频去耦电容，用于抑制电源噪声和提供瞬态电流支持，尤其适用于时钟发生器、PLL锁相环和ADC/DAC参考电压旁路等关键节点。此外，该器件还广泛应用于蓝牙模块、Wi-Fi模组、GPS接收器、智能手机射频收发单元以及其他紧凑型无线连接设备中。得益于其小型封装和高可靠性，该电容同样适用于可穿戴设备、TWS耳机、物联网传感器节点等对空间和功耗敏感的产品。在工业控制、医疗电子和部分车载信息娱乐系统中，只要工作温度在其范围内，也可使用该型号进行精密信号调理和高频滤波。

GRM0335C1H1R6FA01D
　　CC0201-1R6=C0G