电容值：2.2μF
　　容差：±20%
　　额定电压：25V
　　温度特性：X7R（-55°C ~ +125°C，ΔC/C ≤ ±15%）
　　封装尺寸：1812（4532公制）
　　长度：4.5mm
　　宽度：3.2mm
　　厚度：最大2.5mm
　　电极结构：Ni/Sn镀层（三层端子）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥ 1000 MΩ 或 ≥ 100 S·μF（取较小值）
　　介质材料：Class II 高K陶瓷（BaTiO3基）
　　失效率：符合JIS C 5102标准
　　RoHS合规性：符合欧盟RoHS指令要求
　　AEC-Q200认证：否（非车规级）

CIG21C2R2MNE作为一款高性能的多层陶瓷电容器，具备多项关键特性以满足复杂电子系统的需求。首先，其采用X7R类温度稳定型陶瓷介质，确保在-55°C到+125°C的宽温度范围内电容值的变化控制在±15%以内，这一特性对于需要在极端环境下保持电路性能稳定的工业控制、电源模块和通信设备至关重要。相较于Z5U或Y5V等其他II类陶瓷材料，X7R提供了更优的温度稳定性和老化特性，同时仍能实现较高的体积效率。
　　其次，该电容器的电容值为2.2μF，在1812（4532）封装尺寸下实现了较高的容量密度。这得益于村田先进的叠层工艺和高介电常数陶瓷材料的应用，使得在有限的空间内可以集成更大的电容值，从而减少对电解电容或钽电容的依赖，提升系统的可靠性并降低整体成本。此外，该器件具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频去耦和噪声抑制方面表现出色，特别适用于开关电源输出端的滤波电路以及高速数字IC的电源引脚旁路。
　　再者，CIG21C2R2MNE采用了三层端子结构（Nickel barrier + Sn plating），这种设计不仅增强了焊接可靠性，还能有效防止外部电极氧化和银迁移问题，延长了器件在潮湿或腐蚀性环境下的使用寿命。该结构也提高了抗机械应力能力，减少了因PCB弯曲或热胀冷缩引起的开裂风险。此外，该电容器符合RoHS环保标准，不含铅、镉等有害物质，适用于出口型电子产品和绿色制造流程。
　　最后，尽管该型号未通过AEC-Q200车规认证，但其高耐压（25V）、良好的温度特性和长期稳定性，使其仍可用于部分车载辅助系统或工业级应用中，只要不涉及极端振动或长期高温老化测试要求。总体而言，CIG21C2R2MNE是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的通用型MLCC，适合多种中高压、中等容量需求的应用场景。

CIG21C2R2MNE因其优异的电气性能和物理特性，被广泛应用于多个电子领域。在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器的输入和输出滤波电路，用以平滑电压波动、抑制开关噪声并提高电源效率。由于其2.2μF的电容值和25V的额定电压，能够在中等功率电源模块中有效承担储能与去耦任务，尤其适用于12V或24V系统中的稳压电路。
　　在模拟信号处理电路中，该电容器可用于耦合、旁路和滤波功能。例如，在运算放大器或ADC/DAC前端电路中，作为交流信号通路的隔直电容，能够有效传递信号同时阻断直流偏置。其X7R材质带来的低温度漂移特性，有助于维持信号链路的精度一致性，避免因环境温度变化导致增益或频率响应偏移。
　　在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居控制器中，CIG21C2R2MNE可用于处理器核心电源的局部去耦，配合小容量陶瓷电容形成多级滤波网络，提升系统抗干扰能力和运行稳定性。虽然其封装尺寸相对较大（1812），但在对空间要求不极致紧凑的设计中仍具优势，特别是在需要较高容值且避免使用极板电容的情况下。
　　此外，该器件也适用于工业自动化设备、测量仪器和通信基站模块等工业级应用。在这些场合中，工作环境可能经历较大幅度的温度变化或存在电磁干扰，CIG21C2R2MNE的宽温特性和低ESR表现可保障系统长时间稳定运行。值得注意的是，由于其未通过AEC-Q200认证，因此不推荐用于汽车主控单元或安全相关系统，但在车载娱乐系统或辅助电源模块中仍可酌情使用。

GRM450C70J2R2ME15L
　　CL21B225KOQNNNE
　　C1812X225KRCRACTU