型号：PHB44N06T
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：60V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大漏极电流(ID)@25°C：44A
　　最大漏极电流(ID)@100°C：27A
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：1.8mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：2.3mΩ
　　阈值电压(VGS(th))@ID=1mA：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)@VDS=30V：4900pF
　　输出电容(Coss)@VDS=30V：1400pF
　　反向恢复时间(trr)：28ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：LFPAK56 (PowerSSO-24)

PHB44N06T采用Nexperia先进的沟槽式MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，显著降低导通损耗，提高系统整体效率。其典型RDS(on)在VGS=10V时仅为1.8mΩ，在大电流应用中可有效减少发热，提升能效表现。该器件在VGS=4.5V时仍能保持2.3mΩ的低导通电阻，表明其在低栅极驱动电压下依然具备良好性能，适用于由逻辑电平信号直接驱动的场合，如微控制器控制的开关电路。器件的高电流能力（高达44A）结合LFPAK56封装的优异热传导性能，使其在持续负载和瞬态过载条件下均能稳定运行。
　　PHB44N06T的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动功耗和开关损耗，从而提升高频开关应用中的效率。其输入电容和输出电容分别为4900pF和1400pF，配合快速的开关速度，适合用于同步整流、半桥/全桥拓扑等高频DC-DC转换器。此外，该MOSFET具备出色的雪崩能量耐受能力，增强了在电压瞬变和感性负载切换过程中的鲁棒性，防止因电压尖峰导致的器件损坏。
　　LFPAK56封装是PHB44N06T的一大亮点，相比传统TO-220或DPAK封装，它提供更优的热阻性能和更高的功率密度。该封装采用无引线设计，通过大面积铜焊盘实现高效散热，热阻Rth(j-c)低至0.7 K/W，极大地提升了器件在高功率密度设计中的适用性。同时，该封装支持回流焊工艺，适用于现代SMT生产线，提高了制造效率和产品一致性。
　　该器件通过AEC-Q101汽车级可靠性认证，表明其可在高温、高湿、振动等恶劣环境下长期稳定工作，适合用于车载充电系统、车身控制模块、电动助力转向（EPS）等汽车电子应用。此外，PHB44N06T符合RoHS指令，不含铅和有害物质，满足现代绿色电子产品设计要求。综合来看，PHB44N06T凭借其低RDS(on)、高电流、优良热性能和汽车级可靠性，成为工业与汽车领域中高性能功率开关的理想选择。

PHB44N06T广泛应用于需要高效能、高可靠性的功率开关场景。典型应用包括中等电压范围内的DC-DC降压或升压转换器，尤其是在多相VRM（电压调节模块）中作为同步整流或主开关使用，能够显著降低导通损耗，提高电源效率。在电机驱动领域，该器件可用于H桥电路中的上下桥臂开关，驱动直流电机或步进电机，适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。此外，PHB44N06T也常见于电池管理系统（BMS）和便携式电源设备中，作为充放电通路的主控开关，利用其低导通电阻延长电池续航时间。
　　在汽车电子方面，PHB44N06T被广泛用于车载信息娱乐系统电源、LED车灯驱动、电动座椅和车窗控制模块等。其AEC-Q101认证和宽工作温度范围使其能够在发动机舱附近或极端气候条件下稳定运行。该器件还适用于各类工业电源、服务器电源单元和电信设备中的负载开关和电源分配电路。由于其具备良好的动态性能和热稳定性，PHB44N06T也可用于逆变器、UPS不间断电源和太阳能微逆系统中的功率级设计。总之，凡涉及60V以下电压等级、大电流开关需求的应用，PHB44N06T均能提供高效、可靠的解决方案。

PSMN4R4-60YS
　　PSMN4R8-60Y
　　IPB044N06N3G
　　BSC044N06NS