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IRLI540NPBF 发布时间 时间:2025/6/29 12:43:07 查看 阅读:6

IRLI540NPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沟道逻辑 级功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 DPAK 封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合高效能要求的电路设计。
  这款 MOSFET 的最大特点是其较低的导通电阻以及出色的热性能表现,能够在高频开关应用中减少能量损耗。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:29A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻:3.5mΩ
  总功耗:178W
  工作结温范围:-55℃ to 150℃

特性

IRLI540NPBF 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(典型值为 3.5mΩ),能够有效降低传导损耗。
  2. 快速开关速度,有助于提升系统效率并减少开关损耗。
  3. 高雪崩击穿能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
  4. 内置反向二极管,支持续流功能,特别适合于电感性负载的应用。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代电子产品的合规性需求。
  6. 良好的热稳定性,确保在高温环境下仍能可靠运行。

应用

该器件适用于多种工业和消费类电子产品,包括但不限于以下应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
  2. 直流电机驱动电路中的功率开关。
  3. 电池保护与管理系统的负载开关。
  4. LED 驱动器及照明控制。
  5. 各种类型的负载切换和保护电路。
  由于其高电流承载能力和低导通电阻,IRLI540NPBF 在需要大电流和高效能的场合表现尤为出色。

替代型号

IRL540N, IRLI540N

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IRLI540NPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C23A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C44 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs74nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1800pF @ 25V
  • 功率 - 最大54W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220AB 整包
  • 包装管件
  • 其它名称*IRLI540NPBF