IRLI540NPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沟道逻辑 级功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 DPAK 封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合高效能要求的电路设计。
这款 MOSFET 的最大特点是其较低的导通电阻以及出色的热性能表现,能够在高频开关应用中减少能量损耗。
最大漏源电压:60V
最大连续漏极电流:29A
最大栅源电压:±20V
导通电阻:3.5mΩ
总功耗:178W
工作结温范围:-55℃ to 150℃
IRLI540NPBF 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(典型值为 3.5mΩ),能够有效降低传导损耗。
2. 快速开关速度,有助于提升系统效率并减少开关损耗。
3. 高雪崩击穿能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 内置反向二极管,支持续流功能,特别适合于电感性负载的应用。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代电子产品的合规性需求。
6. 良好的热稳定性,确保在高温环境下仍能可靠运行。
该器件适用于多种工业和消费类电子产品,包括但不限于以下应用领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
2. 直流电机驱动电路中的功率开关。
3. 电池保护与管理系统的负载开关。
4. LED 驱动器及照明控制。
5. 各种类型的负载切换和保护电路。
由于其高电流承载能力和低导通电阻,IRLI540NPBF 在需要大电流和高效能的场合表现尤为出色。
IRL540N, IRLI540N