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NJD1718T4G 发布时间 时间:2023/4/13 10:36:11 查看 阅读:334

NJD1718T4G技术参数

目录

概述

制造商:ONSemiconductor

RoHS:是

配置:Single

晶体管极性:PNP

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:DPAK-4

集电极—发射极最大电压VCEO:-50V

发射极-基极电压VEBO:-5V

集电极连续电流:-2A

最大直流电集电极电流:-3A

功率耗散:15W

最大工作温度:+150℃

封装:Reel

最小工作温度:-65℃

资料

厂商
ON Semiconductor

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NJD1718T4G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 50mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)70 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大1.68W
  • 频率 - 转换80MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装带卷 (TR)