NJD1718T4G
时间:2023/4/13 10:36:11
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概述
制造商:ONSemiconductor
RoHS:是
配置:Single
晶体管极性:PNP
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:DPAK-4
集电极—发射极最大电压VCEO:-50V
发射极-基极电压VEBO:-5V
集电极连续电流:-2A
最大直流电集电极电流:-3A
功率耗散:15W
最大工作温度:+150℃
封装:Reel
最小工作温度:-65℃
NJD1718T4G推荐供应商
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- NJD1718T4G
- 北京南电科技发展有限公司
- 2000
- onsemi
- -/DPAK (SINGLE GAUGE) TO252
-
NJD1718T4G参数
- 标准包装2,500
- 类别分离式半导体产品
- 家庭晶体管(BJT) - 单路
- 系列-
- 晶体管类型PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 50mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大)-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)70 @ 500mA,2V
- 功率 - 最大1.68W
- 频率 - 转换80MHz
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装DPAK-3
- 包装带卷 (TR)