您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > NJD1718T4G

NJD1718T4G 发布时间 时间:2023/4/13 10:36:11 查看 阅读:291

NJD1718T4G技术参数

目录

概述

制造商:ONSemiconductor

RoHS:是

配置:Single

晶体管极性:PNP

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:DPAK-4

集电极—发射极最大电压VCEO:-50V

发射极-基极电压VEBO:-5V

集电极连续电流:-2A

最大直流电集电极电流:-3A

功率耗散:15W

最大工作温度:+150℃

封装:Reel

最小工作温度:-65℃

资料

厂商
ON Semiconductor

NJD1718T4G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

NJD1718T4G资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

NJD1718T4G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 50mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)70 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大1.68W
  • 频率 - 转换80MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装带卷 (TR)