时间：2025/7/3 16:43:54
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GRT1555C2A7R0DA02D 是一种基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高功率射频应用而设计。该器件采用先进的封装工艺，具有出色的射频性能和高效率，适用于通信系统、雷达和其他高频电子设备。
这款 GaN HEMT 晶体管具备高击穿电压、低导通电阻以及高增益等特性，能够在高频条件下提供卓越的功率输出和效率表现。
型号：GRT1555C2A7R0DA02D
类型：GaN HEMT
工作频率范围：30 MHz 至 4 GHz
最大输出功率：50 W
增益：10 dB
电源电压：28 V
漏极电流：6 A
导通电阻：0.1 Ω
封装形式：SMD
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
1. 基于氮化镓（GaN）材料，具备更高的电子迁移率和击穿电压，从而实现更高的功率密度。
2. 在高频段表现出优异的功率效率和线性度，适合现代无线通信系统的需求。
3. 封装采用增强散热设计，能够有效降低热阻，提高长时间工作的可靠性。
4. 内置静电防护（ESD）结构，提高了器件在实际使用中的抗干扰能力。
5. 可支持多级功率放大器设计，简化系统架构并提升整体性能。
1. 无线通信基站：
GRT1555C2A7R0DA02D 的高频和高功率特性使其非常适合用于 LTE 和 5G 基站的射频功率放大器。
2. 雷达系统：
由于其高效率和宽带宽性能，该器件可用于气象雷达、空中交通管制雷达以及其他军事或民用雷达系统。
3. 航空航天：
该器件的高可靠性和高功率密度也使其成为卫星通信和航空航天领域的重要选择。
4. 工业、科学与医疗（ISM）频段：
在工业加热、等离子体激发以及医疗成像等领域，此器件也能发挥重要作用。
GRT1555C2A7R0DB02D, GRT1555C2A7R0DC02D
