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GA1210A221FBEAT31G 发布时间 时间:2025/6/3 15:25:19 查看 阅读:8

GA1210A221FBEAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  该器件为 N 沟道增强型 MOSFET,其封装形式为 TO-263(D2PAK),具有较高的电流承载能力和良好的散热性能。由于其出色的电气特性,GA1210A221FBEAT31G 广泛应用于工业控制、消费电子以及汽车电子等领域。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:22A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:78nC
  输入电容:2190pF
  开关时间:ton=15ns, toff=35ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 低导通电阻(Rds(on))设计,有助于降低功耗并提升系统效率。
  2. 快速开关能力,适用于高频开关应用。
  3. 较高的电流承载能力,满足大功率应用场景的需求。
  4. 内置 ESD 保护功能,提高了器件的鲁棒性。
  5. 具有良好的热稳定性和耐用性,适合在恶劣环境下使用。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅封装。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 电池管理及保护系统
  5. 工业自动化设备中的功率转换
  6. 汽车电子中的负载开关与逆变器

替代型号

IRFZ44N
  STP22NF10L
  FDP15U10A

GA1210A221FBEAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容220 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-