时间：2025/6/3 15:25:19
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GA1210A221FBEAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和可靠性。
该器件为 N 沟道增强型 MOSFET，其封装形式为 TO-263（D2PAK），具有较高的电流承载能力和良好的散热性能。由于其出色的电气特性，GA1210A221FBEAT31G 广泛应用于工业控制、消费电子以及汽车电子等领域。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：22A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：78nC
输入电容：2190pF
开关时间：ton=15ns, toff=35ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 低导通电阻（Rds(on)）设计，有助于降低功耗并提升系统效率。
2. 快速开关能力，适用于高频开关应用。
3. 较高的电流承载能力，满足大功率应用场景的需求。
4. 内置 ESD 保护功能，提高了器件的鲁棒性。
5. 具有良好的热稳定性和耐用性，适合在恶劣环境下使用。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理及保护系统
5. 工业自动化设备中的功率转换
6. 汽车电子中的负载开关与逆变器
IRFZ44N
STP22NF10L
FDP15U10A
