时间：2025/9/1 12:08:51
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HY628100BLLG-55 是由 Hynix（现为 SK Hynix）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，采用异步工作方式，具有较大的存储容量和较快的访问速度。该型号为 128K x 8 位的结构，适用于对数据存储和访问速度有较高要求的应用场景。
类型：SRAM（静态随机存取存储器）
密度：1Mbit（128K x 8）
封装：TSOP（Thin Small-Outline Package）
电源电压：3.3V
访问时间：55ns
输入/输出接口：并行
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装引脚数：54-pin
工作模式：异步
HY628100BLLG-55 是一款高性能、低功耗的异步SRAM芯片，采用先进的CMOS工艺制造，具有优异的稳定性和可靠性。其55ns的访问时间使其适用于高速数据缓冲和临时存储需求。芯片内部采用异步控制方式，无需时钟同步，简化了系统设计。该器件支持工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于各种严苛环境下的工业控制系统和嵌入式设备。
此外，HY628100BLLG-55 采用TSOP封装，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适合高密度电路板布局。其并行接口设计允许与多种微处理器和控制器直接连接，提高了系统的兼容性和灵活性。芯片还具备低待机电流特性，有助于降低系统功耗，延长设备的续航时间。
该芯片广泛应用于需要高速数据存储与访问的系统中，如工业控制系统、通信设备、网络路由器、嵌入式系统、测试仪器、汽车电子等。其高速访问能力和工业级工作温度范围也使其适用于需要稳定性和可靠性的恶劣环境应用。
CY62148BLL-55PC、IDT71V416SA55B、IS61LV1024-55
