类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　封装：TO-220AB
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大工作频率：800 MHz
　　输出功率（CW）：150W
　　增益：>10 dB
　　输入驻波比（VSWR）：<2.5:1
　　热阻（Rth）：1.0°C/W（结到外壳）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

MRF870A 的主要特性之一是其高功率处理能力，能够在高频下提供高达 150W 的输出功率，这使其成为射频放大器设计中的理想选择。该器件采用了先进的硅技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，有助于提高效率并减少功耗。此外，MRF870A 的封装设计具备良好的散热性能，能够有效散发工作时产生的热量，从而提高器件的可靠性和寿命。
　　在射频性能方面，MRF870A 提供了超过 10 dB 的增益，这意味着它可以在不使用额外前置放大器的情况下直接放大输入信号。其输入驻波比（VSWR）低于 2.5:1，表明其输入匹配良好，减少了信号反射带来的损耗。此外，该器件的热阻为 1.0°C/W，这意味着在相同功率下，温度上升相对较低，从而提高了器件在高温环境下的稳定性。
　　另一个显著优势是其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），使其能够在极端环境条件下正常工作，例如在户外通信设备或工业控制系统中。MRF870A 还具备良好的抗静电能力，能够在一定程度上防止静电放电（ESD）对器件造成损坏。

MRF870A 主要用于射频功率放大器的设计，常见于无线通信系统、广播发射机、测试与测量设备以及工业控制系统等领域。在无线通信中，它可以作为基站或中继器的输出功率放大器，以提高信号的传输距离和覆盖范围。在广播设备中，MRF870A 可用于调幅（AM）或调频（FM）发射机的末级放大电路，以确保高质量的音频信号传输。
　　此外，该器件也适用于各种测试仪器，如信号发生器和频谱分析仪，用于生成和放大测试信号。由于其良好的热稳定性和高功率处理能力，MRF870A 还可用于高频加热设备和等离子体发生器等工业应用中。在汽车电子领域，该器件可以用于车载广播发射系统或远程信息处理设备中，以提供稳定的射频输出。

MRF890, RD16HHF1, 2N6081