ZXMN10A7FTA 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率MOSFET,采用TO-263封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等应用中。其出色的电气性能使其在各种功率管理场合下表现出优异的效率和稳定性。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:8.5A
导通电阻:15mΩ
栅极电荷:11nC
开关时间:典型值ton=40ns,toff=15ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
ZXMN10A7FTA 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速的开关速度,可减少开关损耗并在高频应用中表现良好。
3. 高雪崩能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 符合RoHS标准,环保且适合现代设计需求。
5. 小型TO-263封装,便于安装并节省PCB空间。
6. 可靠的热性能,确保长时间稳定运行。
该功率MOSFET广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 各种电机驱动电路,例如步进电机、无刷直流电机等。
4. 负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 消费类电子产品中的电池充电管理和电源管理单元。
IRFZ44N
STP16NF06L
FDP15N6S