时间：2025/4/29 11:41:58
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R5460N210AD-TR-FE 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和信号切换等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。其封装形式为 TO-252 (DPAK)，适用于表面贴装技术 (SMT)。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：21A
导通电阻(Rds(on))：2.7mΩ
栅极电荷(Qg)：35nC
开关时间：ton=11ns, toff=9ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
R5460N210AD-TR-FE 具有出色的电气特性和可靠性。
1. 极低的导通电阻 (2.7mΩ)，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高电流承载能力 (21A)，适合大功率应用。
3. 快速开关性能 (ton=11ns, toff=9ns)，使其在高频应用中表现出色。
4. 小型化 TO-252 封装设计，节省 PCB 空间并便于自动化生产。
5. 工作温度范围宽 (-55℃至+175℃)，适应各种严苛环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该 MOSFET 器件适用于多种工业及消费类电子领域。
1. 开关电源 (SMPS) 中作为主开关或同步整流器使用。
2. DC/DC 转换器中的功率级开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 电池管理系统 (BMS) 的充放电控制。
5. 各种负载开关和保护电路的应用。
6. 高效节能的 LED 驱动电路设计。
R5460N210AD-TR, R5460N210AD-E3
