时间：2025/7/9 14:55:13
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FGBU810是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用TO-252封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，从而能够有效降低功耗并提高效率。
这款MOSFET的设计目标是满足现代电子设备对高效能和小体积的需求。其内部结构优化了栅极电荷和开关性能，确保在高频应用中表现出色。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：8.3A
最大栅源电压：±20V
导通电阻：90mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
总栅极电荷：14nC
输入电容：1720pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻有助于减少传导损耗，提升整体系统效率。
2. 高速开关能力使得它适合高频应用环境。
3. 具备出色的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
4. 小型化封装设计减少了PCB占用面积，便于紧凑型电路设计。
5. 内置保护机制提高了器件的鲁棒性，防止过流或短路情况下的损坏。
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 各种电机驱动场景，如小型直流电机控制。
4. 负载开关及保护电路。
5. 消费类电子产品中的功率管理模块。
IRF840, BUZ11
