类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：9.4A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约7.5mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

GEM09401BFA 具有多个显著的技术特点。首先，其低导通电阻确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统整体效率。其次，该MOSFET具备优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行，增强了系统的可靠性和耐用性。
　　此外，GEM09401BFA 采用了 TO-252 封装，这种封装形式提供了良好的散热性能，并且便于焊接与安装，适合表面贴装技术（SMT）。由于其高耐压能力和较大的额定电流，该器件可以胜任诸如DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及电池管理系统等应用。
　　另一个关键特性是其强大的短路和过载保护能力，在异常工作条件下也能维持一定的安全运行时间，防止硬件损坏。这使得 GEM09401BFA 成为对可靠性要求较高的工业自动化、汽车电子和能源管理系统的理想选择。

GEM09401BFA 主要应用于需要高效能功率管理的场合。其中包括但不限于：
　　- DC-DC转换器和电源模块：用于电信设备、服务器电源及嵌入式系统中的高效电源转换。
　　- 电机驱动电路：用于工业自动化设备、电动工具以及机器人控制系统中，实现高效的电机控制。
　　- 负载开关和继电器替代：适用于智能电表、家用电器和工业控制面板，提供快速响应和无磨损操作。
　　- 电池管理系统（BMS）：用于电动汽车（EV）、储能系统（ESS）和便携式设备中，实现充放电过程的精确控制。
　　- UPS不间断电源：在备用电源系统中作为主控开关元件，提升整体能效和稳定性。

IPD94N06NG, STP95N6F6, FDP0940N6