类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：12A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.85Ω @ Vgs = 10V
　　功率耗散（Pd）：80W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

KTK920U 具备多项优异的电气和热特性，适用于高功率应用。其最大漏源电压为900V，使得该器件能够在高压环境下稳定工作，适用于开关电源（SMPS）、LED驱动器、电机控制和逆变器等应用。漏极连续电流可达12A，结合较低的导通电阻（Rds(on)）0.85Ω，有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外，该MOSFET采用TO-252封装，具有良好的散热性能，能够在较高功率下保持稳定运行。KTC920U的栅极驱动电压为10V时即可实现充分导通，降低了对驱动电路的要求。其栅源电压容限为±30V，具备一定的过压保护能力。此外，该器件具备良好的热稳定性，工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适应各种严苛环境条件下的应用需求。
　　KTK920U 的设计使其在高频率开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗并提升整体系统性能。由于其良好的热管理能力，该器件在持续高负载运行时仍能保持较低的温升，延长了使用寿命并提高了系统的可靠性。因此，KTK920U 广泛应用于工业电源、家电控制、新能源设备以及各类电力电子变换装置中。

KTK920U 主要应用于各类高电压和高电流的功率电子设备中，适用于开关电源、LED驱动器、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路以及家电控制模块等场景。其高耐压特性使其非常适合用于高压输入的电源系统，例如AC/DC转换器和离线式电源适配器。同时，由于其具备较高的连续漏极电流和较低的导通电阻，也适合用于需要高效率功率转换的场合，如太阳能逆变器、电动车充电设备和工业自动化控制系统。此外，KTK920U 的封装形式便于PCB布局和散热管理，适用于表面贴装技术（SMT），因此在现代电子制造中具有良好的适用性。

KTD920U、KTD921U、KTD911U、KTD915U