时间：2025/9/10 0:23:29
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MVE50VC101MH10TP 是 Vishay Siliconix 推出的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于各种高频率、高效率的功率转换电路中。该器件采用了先进的沟槽式技术，提供了较低的导通电阻（RDS(on)）和优良的热性能，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统等应用领域。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100V
最大漏极电流（ID）：50A（在 Tc=25°C 时）
导通电阻（RDS(on)）：约 10.1mΩ（典型值，具体取决于测试条件）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V 至 4V
最大功耗（PD）：160W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
技术：沟槽式 MOSFET 技术
MVE50VC101MH10TP 具有出色的导通性能和开关性能，其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，从而提高系统的整体效率。此外，该器件的封装设计提供了良好的散热性能，能够在高电流和高温环境下稳定工作。
这款 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，适用于多种控制电路，同时其高雪崩能量能力确保了在过载或短路情况下的可靠性。MVE50VC101MH10TP 的 TO-263 封装形式也便于安装和散热管理，适合在空间受限的设计中使用。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在极端温度条件下保持稳定的电气性能。
其高电流能力和低导通损耗特性使其非常适合用于高功率密度设计，例如服务器电源、电信设备、工业控制系统和汽车电子系统。
MVE50VC101MH10TP 适用于多种功率电子系统，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源管理单元、逆变器以及工业自动化设备。此外，该 MOSFET 在汽车电子系统中也有广泛应用，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、48V 轻混系统等。由于其优异的热性能和高可靠性，MVE50VC101MH10TP 也适用于高效率电源适配器、不间断电源（UPS）以及可再生能源系统（如太阳能逆变器）。
SiHH50N100E、IRF1405、IXTA50N10P、FDP50N10、NDS50N10
