类型：NPN 晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗：300 mW
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：SOT-23
　　增益（hFE）：110 到 800（根据不同的电流条件）
　　频率响应：250 MHz

KTD1145-C-AT/P 晶体管具有优良的电流放大能力和高频响应，适用于各种通用电子电路。其高耐压特性使其在较高的电压环境下也能稳定工作。此外，该晶体管的封装设计使其易于集成到 PCB 板上，并具有良好的散热性能。
　　此晶体管的主要特性之一是其高电流放大系数（hFE），可在不同工作条件下提供稳定的增益表现。这使其在需要精确电流控制的电路中非常有用，例如在数字逻辑电路或模拟信号放大电路中。
　　另一个显著的特性是其高频响应能力，能够在高达 250 MHz 的频率下有效工作。这使得 KTD1145-C-AT/P 在射频（RF）和高速开关应用中表现出色，例如在无线通信设备、射频放大器和高速数字电路中。
　　此外，该晶体管采用了 SOT-23 小型封装，适合空间受限的设计，并具有良好的热稳定性和可靠性。这种封装方式也便于自动化装配和维修更换。

KTD1145-C-AT/P 晶体管广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
　　在数字电路中，该晶体管可用于构建逻辑门、触发器和计数器等基本数字元件。其高增益特性使其在这些应用中能够提供稳定的信号放大和开关控制。
　　在射频（RF）电路中，该晶体管可以用于构建射频放大器、混频器和振荡器。其高频响应能力使其能够在无线通信系统中发挥重要作用，例如在蓝牙模块、Wi-Fi 路由器和无线传感器网络中。
　　在工业控制和自动化系统中，该晶体管可以用于驱动继电器、LED 指示灯和小型电机等负载。其高耐压和高电流承载能力使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。
　　此外，该晶体管还可用于音频放大器、传感器接口电路和电源管理电路。其优异的性能使其在消费电子产品、汽车电子系统和医疗设备中都有广泛的应用。

2N3904, BC547, 2N2222