产品系列：MLF
　　封装/尺寸：1005（0402）
　　标称阻抗：1.0Ω @ 100MHz
　　直流电阻（DCR）：最大0.35Ω
　　额定电流：150mA
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　测试频率：100MHz
　　阻抗测试条件：100MHz, 0.1Vrms
　　电感值：约0.32μH @ 1MHz
　　自谐振频率（SRF）：典型值大于300MHz

MLF1005L1R0KT的最显著特性之一是其在高频范围内表现出优异的噪声抑制能力，同时保持极低的直流电阻，这使得它特别适合用于对功耗敏感的电池供电设备。该磁珠的设计基于TDK先进的多层铁氧体材料技术，通过精密的层压工艺实现高一致性和可靠性。其内部结构由多个铁氧体介质层与内电极交替堆叠而成，这种构造不仅提高了元件的机械强度，还优化了磁通分布，减少了漏磁效应，从而增强了高频滤波效果。在实际应用中，该器件能在很宽的频率范围内提供平稳且可控的阻抗响应，避免了传统线绕电感可能引发的共振问题。由于其自谐振频率较高（通常超过300MHz），因此在GHz级别的信号路径中仍能保持良好的去耦性能，不会因寄生电容导致性能下降。此外，MLF1005L1R0KT具备出色的直流偏置特性，在接近额定电流时阻抗下降较小，确保在负载变化时仍能维持稳定的滤波效果。该器件还具有良好的温度稳定性，即使在极端工作环境下也能保持电气参数的一致性。其符合RoHS指令和无卤素要求，支持环保生产工艺，并适用于自动化贴片生产线，具有良好的可焊性和抗热冲击能力。整体而言，这款磁珠结合了小型化、高性能与高可靠性的优势，是现代高频电路设计中理想的EMI抑制解决方案。
　　值得注意的是，尽管其标称阻抗仅为1Ω @ 100MHz，但随着频率升高，其阻抗迅速上升，在几百MHz到GHz频段可达到数十甚至上百欧姆的有效电阻成分，主要以热损耗形式吸收高频噪声能量。这一行为使其区别于普通电感，更接近于频率依赖型电阻器，从而实现高效的电磁干扰抑制而不会显著影响信号传输质量。

MLF1005L1R0KT广泛应用于各类需要高频噪声抑制的电子设备中，尤其适用于高速数字接口的信号线路滤波，例如USB、I2C、SPI、MIPI等差分或单端信号线上的瞬态噪声过滤。在移动通信设备中，该磁珠常被部署于射频前端模块（RF Front-End）、天线开关、功率放大器偏置电路以及GPS/Wi-Fi/BT共存系统的隔离设计中，用以防止不同频段之间的相互干扰。此外，它也常见于电源管理单元（PMU）输出端的局部去耦网络中，配合陶瓷电容构成π型或L型滤波电路，进一步净化供给处理器、传感器或音频编解码器的电源电压。在可穿戴设备和物联网终端中，由于空间极为有限且对EMI要求严格，MLF1005L1R0KT凭借其超小型封装和高效滤波能力成为首选元件。它还可用于LCD/OLED显示屏的数据线和时钟线，以消除显示噪声和闪烁现象。在工业控制和汽车电子领域，该器件可用于CAN总线、LIN总线或其他车载通信接口的EMI防护设计，提升系统抗干扰能力和功能安全性。由于其宽温特性和高可靠性，MLF1005L1R0KT同样适用于高温环境下的嵌入式控制系统。总之，凡涉及高频信号完整性保障和电磁兼容性优化的应用场景，该磁珠都能发挥关键作用。

BLM18PG1R0SN1D
　　BLM15AX1R0SN1D
　　DLW21HN1R0SQ2L
　　ACFF0402-1R0J
　　CMF1005Y1R0GT