类型：双共阴极肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　正向压降（VF）：典型值0.78V（在1A条件下）
　　最大浪涌电流（IFSM）：30A
　　反向漏电流（IR）：最大10μA（在100V、25°C条件下）
　　反向恢复时间（trr）：≤30ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-123

US112N的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种技术利用金属-半导体结代替传统的PN结，显著降低了正向导通压降，从而减少了功率损耗并提升了系统效率。在大电流负载下，低VF意味着更少的热量产生，有助于简化散热设计并提高整体系统的可靠性。该器件的正向压降在1A电流下典型值仅为0.78V，相较于传统硅二极管通常1V以上的压降，节能效果明显。此外，由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此其开关速度极快，反向恢复时间trr不超过30ns，有效抑制了高频开关过程中的反向恢复电流尖峰，减少了电磁干扰（EMI）和开关损耗。
　　US112N的双共阴极配置允许两个独立的肖特基二极管共享一个公共阴极引脚，特别适用于全波整流或双路同步整流拓扑中，节省了PCB空间并简化了布线。其SOD-123封装不仅体积小，便于自动化贴片生产，而且具有良好的热传导性能，能够在紧凑的设计中保持稳定的电气特性。该器件具备较高的浪涌电流承受能力（可达30A），能够在电源启动或瞬态过载情况下提供可靠的保护。此外，US112N的反向漏电流在高温环境下仍保持较低水平，确保在高温工作条件下仍具有良好的阻断能力。其宽泛的工作温度范围使其适用于工业控制、汽车电子和户外通信设备等对环境适应性要求高的应用场景。

US112N广泛应用于各类高频、高效率的电源转换系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常用于次级侧整流，特别是在反激式、正激式和LLC谐振变换器中，作为输出整流二极管以提升转换效率。由于其快速的开关特性和低正向压降，该器件也适用于DC-DC转换器模块，包括降压（Buck）、升压（Boost）和升降压（Buck-Boost）拓扑结构，能够有效降低导通损耗，提高功率密度。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的充电管理电路中，US112N被用于电源路径管理和电池充电回路，保障高效的能量传输。
　　此外，该器件在逆变器和UPS不间断电源系统中也发挥着重要作用，用于高频整流和续流功能。在通信设备的电源模块中，US112N有助于实现紧凑化设计和高效能运行。其小型化封装使其非常适合用于空间受限的应用场景，如物联网设备、智能家居控制器和可穿戴设备。在LED驱动电源中，该二极管可用于防止反向电压损坏LED串，并在开关过程中提供快速续流路径。同时，在汽车电子系统中，如车载充电器和DC-DC转换器，US112N也能在较宽的温度范围内稳定工作，满足车规级应用的部分需求。其高可靠性和长寿命特性也使其成为工业自动化设备和医疗电子设备中电源设计的理想选择。

SS14
　　MBR1100T1G
　　RB162L-40
　　SB1100