类型: NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）: 15V
　　集电极电流（IC）: 100mA
　　工作温度范围: -55°C ~ +150°C
　　过渡频率（fT）: 8GHz
　　增益带宽积（GBP）: 8GHz
　　封装类型: SOT-457
　　晶体管配置: 共发射极
　　最大功率耗散: 100mW
　　集电极-基极电压（VCB）: 30V
　　发射极-基极电压（VEB）: 2V

2SC3356R25-T1B晶体管具有卓越的高频性能，其过渡频率（fT）高达8GHz，使其适用于高频放大器、混频器和振荡器等电路设计。
　　该晶体管的增益带宽积同样为8GHz，保证了在高频段下仍能提供稳定的放大增益，减少信号失真。
　　其SOT-457封装形式不仅体积小、重量轻，而且具备良好的热稳定性和机械强度，适用于便携式设备和高密度PCB布局。
　　此外，该晶体管的制造工艺采用了ROHM的先进硅外延基片技术，使其在高频下具有优异的噪声性能和线性度，适用于高灵敏度射频接收器和低噪声放大器（LNA）的设计。
　　2SC3356R25-T1B的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，确保其在极端环境条件下仍能稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。
　　同时，该器件的最大集电极电流为100mA，功率耗散为100mW，在保证高频性能的同时，具备一定的功率处理能力，适合中功率射频放大需求。

2SC3356R25-T1B晶体管广泛应用于射频前端模块、无线通信系统、低噪声放大器（LNA）、高频振荡器、混频器以及射频功率放大器等电路中。
　　其高频特性使其成为Wi-Fi、蓝牙、Zigbee、GPS、FM接收器和射频识别（RFID）系统中的理想选择。
　　在通信基础设施中，该晶体管可用于蜂窝基站、无线接入点和微波通信设备中的信号放大和处理模块。
　　此外，该器件也适用于测试测量设备，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪等，用于高频信号的放大和调制。
　　由于其良好的温度稳定性和可靠性，2SC3356R25-T1B也可用于汽车电子系统中的射频通信模块，如远程无钥匙进入系统（RKE）、胎压监测系统（TPMS）和车载导航系统等。
　　在工业控制和自动化设备中，该晶体管可用于无线传感器网络和远程监控系统的射频收发模块，提升数据传输的稳定性和效率。

2SC3355, BFQ59, BFR181, BFR92A