时间：2025/7/4 2:22:23
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MSASE063BB5474KFNB33 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺设计，主要应用于高效率、低损耗的电力转换系统中。该器件具备较低的导通电阻和快速开关性能，能够在高频条件下保持较高的能效。此外，它还具有良好的热稳定性和抗浪涌能力，适用于工业级和消费级电子设备。
型号：MSASE063BB5474KFNB33
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-247-3
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅极源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：38A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总功耗(Ptot)：175W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
MSASE063BB5474KFNB33 具有出色的电气特性和机械稳定性。
1. 低导通电阻确保了较低的传导损耗，适合高电流应用。
2. 快速开关性能减少开关损耗，提升整体效率。
3. 高耐压设计使其能够适应多种电压等级的应用场景。
4. 内置ESD保护提高了器件的可靠性和抗干扰能力。
5. 优化的热设计有助于散热管理，延长使用寿命。
6. 符合RoHS标准，环保且支持表面贴装工艺(SMD)或通孔安装(THT)。
该元器件广泛用于各类高功率密度的应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，如适配器、充电器等。
2. 电机驱动与控制，如工业自动化中的变频器。
3. 太阳能逆变器，用于光伏系统的高效能量转换。
4. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)的动力管理系统。
5. 不间断电源(UPS)系统，提供稳定的后备电力支持。
6. LED驱动电路，实现精准的电流调节和亮度控制。
MSASE063BB5474KFN, IRFP260N, FQP50N06L
