时间：2025/8/18 14:00:44
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D2457R是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高效率电源转换设备。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高开关性能，适用于DC-DC转换器、同步整流器以及电机控制等应用。D2457R封装形式为SOP（小外形封装），便于在紧凑型设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏-源电压（VDS）：30V
最大栅-源电压（VGS）：20V
导通电阻（RDS(on)）：最大7.5mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：SOP
D2457R具有出色的电气性能和热管理能力，主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度。低RDS(on)有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件的高耐流能力使其能够在高负载条件下稳定工作，适用于要求苛刻的工业和汽车电子应用。此外，D2457R采用SOP封装，具有良好的散热性能，适合在空间受限的设计中使用。该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，可在4.5V至20V之间工作，使其适用于多种栅极驱动电路配置。器件的可靠性高，符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺。
D2457R广泛应用于高效能电源系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统以及汽车电子设备。在服务器电源、通信设备和工业自动化系统中，D2457R能够提供高效率和稳定性能。此外，该MOSFET也可用于负载开关和电源管理模块，适用于需要高电流和低导通损耗的场合。
D2457K,D2458R
