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VLF252010MT-4R7M 发布时间 时间:2025/12/4 17:30:59 查看 阅读:62

VLF252010MT-4R7M是一款由TDK公司生产的表面贴装功率电感器,属于VLF系列,专为高电流、低损耗应用设计。该电感采用金属合金磁性材料制成,具有优异的直流偏置特性、低直流电阻(DCR)以及出色的温度稳定性,适用于在紧凑空间内实现高效能电源转换的场景。其尺寸为2.5mm x 2.0mm x 1.0mm,符合小型化和轻薄化电子产品的发展趋势,广泛应用于移动设备、通信模块、便携式消费类电子产品中的DC-DC转换电路中。该器件通过AEC-Q200认证,具备良好的可靠性和耐久性,适合在严苛环境下长期运行。

参数

产品型号:VLF252010MT-4R7M
  电感值:4.7μH ±20%
  额定电流(Irms):650mA(典型值)
  饱和电流(Isat):850mA(电感下降30%)
  直流电阻(DCR):0.32Ω(最大值)
  自谐振频率(SRF):33MHz(最小值)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  尺寸:2.5mm x 2.0mm x 1.0mm
  封装类型:表面贴装(SMD)
  磁芯材料:金属合金复合材料
  屏蔽类型:全屏蔽结构
  端子电极:金属包裹端子(Metal Wrap Terminal)
  焊接方式:回流焊兼容

特性

VLF252010MT-4R7M采用TDK自主研发的金属合金粉末作为磁芯材料,这种材料相较于传统的铁氧体磁芯,具有更高的饱和磁通密度和更优的直流偏置性能,能够在大电流条件下维持稳定的电感值,有效防止因电流上升导致的电感骤降问题,从而提升电源系统的稳定性和效率。
  该电感器具备全屏蔽结构设计,显著降低了电磁干扰(EMI),避免对周边敏感电路造成影响,特别适用于高密度PCB布局的应用场合。同时,其低直流电阻特性减少了导通损耗,提高了整体能效,有助于降低系统温升,延长设备使用寿命。
  器件采用金属包裹端子技术(MWT),增强了机械强度和焊接可靠性,提升了抗热应力和振动的能力,在多次温度循环或机械冲击下仍能保持良好连接。此外,该结构还改善了电流分布均匀性,进一步优化了高频下的性能表现。
  VLF252010MT-4R7M支持自动化贴片生产流程,与标准SMT工艺完全兼容,便于大规模量产使用。其符合RoHS指令要求,并通过AEC-Q200汽车级认证,表明其在高温、高湿、振动等恶劣环境下的长期可靠性得到了验证,可应用于车载电子系统如ADAS、信息娱乐系统等对安全性要求较高的领域。
  由于其小尺寸和高性能的结合,该电感常被用于降压型(Buck)、升压型(Boost)及升降压(Buck-Boost)DC-DC变换器中,特别是在电池供电设备中发挥关键作用,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网节点等,确保在有限空间内实现高效的能量转换和稳定的输出电压。

应用

主要用于移动通信设备中的电源管理单元,如智能手机和平板电脑的PMU供电滤波;适用于各类便携式消费电子产品中的DC-DC转换器电路;可用于工业控制模块、传感器供电系统以及小型无线模块的电源去耦和储能元件;也适用于汽车电子中的非动力系统,如车载信息显示、摄像头模组、车内照明控制等领域的电源设计;在需要高可靠性和小型化的应用场景中表现出色。

替代型号

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VLF252010MT-4R7M参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列VLF-M
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • 类型鼓芯,绕线式
  • 材料 - 磁芯铁氧体
  • 电感4.7 μH
  • 容差±20%
  • 额定电流(安培)950 mA
  • 电流 - 饱和 (Isat)570mA
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 电阻 (DCR)300 毫欧最大
  • 不同频率时 Q 值-
  • 频率 - 自谐振-
  • 等级-
  • 工作温度-40°C ~ 105°C
  • 电感频率 - 测试1 MHz
  • 特性-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳1008(2520 公制)
  • 供应商器件封装-
  • 大小 / 尺寸0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.039"(1.00mm)