DTC614TUT106
时间:2023/2/25 16:35:30
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制造商: ROHM Semiconductor
晶体管极性: NPN
典型输入电阻器: 10 KOhms
概述
制造商: ROHM Semiconductor
晶体管极性: NPN
典型输入电阻器: 10 KOhms
封装 / 箱体: UMT-3
集电极—发射极最大电压 VCEO: 20 V
集电极连续电流: 600 mA
功率耗散: 200 mW
封装: Reel
发射极 - 基极电压 VEBO: 12 V
安装风格: SMD/SMT
DTC614TUT106参数
- 标准包装3,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 系列-
- 晶体管类型NPN - 预偏压
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)20V
- 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
- 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)820 @ 50mA,5V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 2.5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大)-
- 频率 - 转换150MHz
- 功率 - 最大200mW
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装UMT3
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称DTC614TUT106TR