MDD3754 时间：2025/12/29 13:39:04 阅读：13

MDD3754是一款高性能的双N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）阵列集成电路，专为高效率电源管理和电机控制应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于多种工业和消费类电子设备。MDD3754内部集成了两个独立的MOSFET，使得它在半桥或全桥电路中具有广泛的应用。此外，该芯片具备良好的抗静电能力和过热保护功能，提高了系统的稳定性和可靠性。

参数

封装类型：SOIC-8
　　晶体管类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）：5.6A（每个晶体管）
　　导通电阻（RDS(on)）：55mΩ @ VGS=10V
　　栅极电压（VGS）：-20V ~ +20V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　功耗：2.5W
　　封装尺寸：5.0mm x 4.4mm

特性

MDD3754的核心优势在于其低导通电阻和高电流承载能力，使其在高频率开关应用中表现出色，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，确保了在高温环境下依然保持稳定的电气性能。此外，MDD3754的封装设计具有良好的散热性能，有助于提高器件的可靠性和延长使用寿命。
　　该芯片还具备出色的抗静电放电（ESD）能力，能够承受高达8kV的HBM（人体模型）静电冲击，有效防止因静电损坏而导致的故障。MDD3754的栅极驱动电压范围较宽，支持从逻辑电平到标准电压的多种控制信号输入，从而提高了其在不同控制系统中的兼容性。
　　由于其双MOSFET集成结构，MDD3754非常适合用于构建半桥、全桥拓扑结构，广泛应用于直流电机驱动、电源转换器、负载开关以及LED照明控制系统等领域。