时间：2025/8/15 1:20:27
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BAS70S_R1_00001 是一种常见的双极性开关二极管，通常用于高频开关和保护电路。该器件由安森美半导体（onsemi）生产，属于 BAS70 系列的一部分，专为低电容和快速开关特性而设计，适用于对信号完整性要求较高的应用场景。
类型：开关二极管
最大重复峰值反向电压（VRRM）：100 V
最大平均正向电流（IF(AV)）：100 mA
最大正向电压降（VF）：1.25 V @ 10 mA
最大反向漏电流（IR）：100 nA @ 100 V
封装类型：SOT-23（SC-59）
结温范围：-55°C 至 +150°C
最大工作频率：100 MHz
二极管电容（CT）：3.5 pF @ 0 V
BAS70S_R1_00001 具有低电容的特性，这使得它在射频（RF）和高速数字电路中表现出色，能够最小化信号失真并提升电路的响应速度。该器件的快速恢复时间（trr）通常小于 10 ns，使其非常适合用于高频开关应用。此外，该二极管的封装尺寸小，适用于空间受限的设计，如便携式电子设备和嵌入式系统。
由于其较高的反向电压额定值（100 V），BAS70S_R1_00001 可以在多种电压环境下稳定工作，提供可靠的保护功能，例如静电放电（ESD）防护和电压瞬态抑制。此外，该器件的制造工艺符合工业标准，具有较高的可靠性和稳定性，适合工业级和汽车级应用。
BAS70S_R1_00001 主要用于需要高速开关和低电容特性的电路中。常见的应用包括通信设备中的射频信号路径控制、逻辑电路中的信号隔离、数字电路中的电平转换以及保护电路中的钳位和反向电压保护。此外，该器件还广泛用于消费电子产品、工业控制系统和汽车电子系统中的信号处理模块。
在无线通信系统中，BAS70S_R1_00001 常用于天线切换、信号路由和功率控制电路，其低电容特性能够确保信号的高频完整性。在嵌入式系统中，它可用于保护微控制器的输入/输出引脚免受静电和电压浪涌的影响。
BAS70-04, BAS70-05, BB112, 1N4148, 1N4448
